? ? ?電子元器件的封裝形式按不同方式分類，都不一樣，今天我們以一種概況的形式來講述電子元器件封裝形式 。

? ? ? 以封裝外形大體分為如下29種：

1、BGA（ballgridarray）球形觸點(diǎn)陳列，表面貼裝型封裝之一。在印刷基板的背面按陳列方式制作出球形凸點(diǎn)用以代替引腳，在印刷基板的正面裝配LSI芯片，然后用模壓樹脂或灌封方法進(jìn)行密封。也稱為凸點(diǎn)陳列載體（PAC）。引腳可超過200，是多引腳LSI用的一種封裝。封裝本體也可做得比QFP（四側(cè)引腳扁平封裝）小。

例如，引腳中心距為1.5mm的360引腳BGA僅為31mm見方；而引腳中心距為0.5mm的304引腳QFP為40mm見方。而且BGA不用擔(dān)心QFP那樣的引腳變形問題。該封裝是美國Motorola公司開發(fā)的，首先在便攜式電話等設(shè)備中被采用，今后在美國有可能在個(gè)人計(jì)算機(jī)中普及。最初，BGA的引腳（凸點(diǎn)）中心距為1.5mm，引腳數(shù)為225?，F(xiàn)在也有一些LSI廠家正在開發(fā)500引腳的BGA。BGA的問題是回流焊后的外觀檢查?，F(xiàn)在尚不清楚是否有效的外觀檢查方法。有的認(rèn)為，由于焊接的中心距較大，連接可以看作是穩(wěn)定的，只能通過功能檢查來處理。美國Motorola公司把用模壓樹脂密封的封裝稱為OMPAC，而把灌封方法密封的封裝稱為GPAC（見OMPAC和GPAC）。

2、BQFP（quadflatpackagewithbumper）帶緩沖墊的四側(cè)引腳扁平封裝。QFP封裝之一，在封裝本體的四個(gè)角設(shè)置突起（緩沖墊）以防止在運(yùn)送過程中引腳發(fā)生彎曲變形。美國半導(dǎo)體廠家主要在微處理器和ASIC等電路中采用此封裝。引腳中心距0.635mm，引腳數(shù)從84到196左右（見QFP）。

3、碰焊PGA（buttjointpingridarray）表面貼裝型PGA的別稱（見表面貼裝型PGA）。

4、C-（ceramic）表示陶瓷封裝的記號(hào)。例如，CDIP表示的是陶瓷DIP。是在實(shí)際中經(jīng)常使用的記號(hào)。

5、Cerdip用玻璃密封的陶瓷雙列直插式封裝，用于ECLRAM，DSP（數(shù)字信號(hào)處理器）等電路。帶有玻璃窗口的Cerdip用于紫外線擦除型EPROM以及內(nèi)部帶有EPROM的微機(jī)電路等。引腳中心距2.54mm，引腳數(shù)從8到42。在日本，此封裝表示為DIP-G（G即玻璃密封的意思）。

6、Cerquad表面貼裝型封裝之一，即用下密封的陶瓷QFP，用于封裝DSP等的邏輯LSI電路。帶有窗口的Cerquad用于封裝 EPROM電路。散熱性比塑料QFP好，在自然空冷條件下可容許1.5～2W的功率。但封裝成本比塑料QFP高3～5倍。引腳中心距有1.27mm、 0.8mm、0.65mm、0.5mm、0.4mm等多種規(guī)格。引腳數(shù)從32到368。

7、CLCC（ceramicleadedchipcarrier）帶引腳的陶瓷芯片載體，表面貼裝型封裝之一，引腳從封裝的四個(gè)側(cè)面引出，呈丁字形。帶有窗口的用于封裝紫外線擦除型EPROM以及帶有EPROM的微機(jī)電路等。此封裝也稱為QFJ、QFJ-G（見QFJ）

8、COB（chiponboard板上芯片封裝，是裸芯片貼裝技術(shù)之一，半導(dǎo)體芯片交接貼裝在印刷線路板上，芯片與基板的電氣連接用引線縫合方法實(shí)現(xiàn)，芯片與基板的電氣連接用引線縫合方法實(shí)現(xiàn)，并用樹脂覆蓋以確?？煽啃浴ｋm然COB是最簡(jiǎn)單的裸芯片貼裝技術(shù)，但它的封裝密度遠(yuǎn)不如TAB和倒片焊技術(shù)。

9、DFP（dualflatpackage）雙側(cè)引腳扁平封裝。是SOP的別稱（見SOP）。以前曾有此稱法，現(xiàn)在已基本上不用。

10、DIC（dualin-lineceramicpackage）陶瓷DIP（含玻璃密封）的別稱（見DIP）。

11、DIL（dualin-line）DIP的別稱（見DIP）。歐洲半導(dǎo)體廠家多用此名稱。

12、DIP（dualin-linepackage）。雙列直插式封裝。插裝型封裝之一，引腳從封裝兩側(cè)引出，封裝材料有塑料和陶瓷兩種。DIP是最普及的插裝型封裝，應(yīng)用范圍包括標(biāo)準(zhǔn)邏輯IC，存貯器LSI，微機(jī)電路等。引腳中心距2.54mm，引腳數(shù)從6到64。封裝寬度通常為15.2mm。有的把寬度為7.52mm和10.16mm的封裝分別稱為skinnyDIP和 slimDIP（窄體型DIP）。但多數(shù)情況下并不加區(qū)分，只簡(jiǎn)單地統(tǒng)稱為DIP。另外，用低熔點(diǎn)玻璃密封的陶瓷DIP也稱為cerdip（見 cerdip）。

13、DSO（dualsmallout-lint）雙側(cè)引腳小外形封裝。SOP的別稱（見SOP）。部分半導(dǎo)體廠家采用此名稱。

14、DICP（dualtapecarrierpackage）雙側(cè)引腳帶載封裝。TCP（帶載封裝）之一。引腳制作在絕緣帶上并從封裝兩側(cè)引出。由于利用的是TAB（自動(dòng)帶載焊接）技術(shù)，封裝外形非常薄。常用于液晶顯示驅(qū)動(dòng)LSI，但多數(shù)為定制品。另外，0.5mm厚的存儲(chǔ)器LSI簿形封裝正處于開發(fā)階段。在日本，按照EIAJ（日本電子機(jī)械工業(yè)）會(huì)標(biāo)準(zhǔn)規(guī)定，將DICP命名為DTP。

15、DIP（dualtapecarrierpackage）同上。日本電子機(jī)械工業(yè)會(huì)標(biāo)準(zhǔn)對(duì)DTCP的命名（見DTCP）。

16、FP（flatpackage）扁平封裝。表面貼裝型封裝之一。QFP或SOP（見QFP和SOP）的別稱。部分半導(dǎo)體廠家采用此名稱。

17、flip-chip倒焊芯片。裸芯片封裝技術(shù)之一，在LSI芯片的電極區(qū)制作好金屬凸點(diǎn)，然后把金屬凸點(diǎn)與印刷基板上的電極區(qū)進(jìn)行壓焊連接。封裝的占有面積基本上與芯片尺寸相同。是所有封裝技術(shù)中體積最小、最薄的一種。但如果基板的熱膨脹系數(shù)與LSI芯片不同，就會(huì)在接合處產(chǎn)生反應(yīng)，從而影響連接的可靠性。因此必須用樹脂來加固LSI 芯片，并使用熱膨脹系數(shù)基本相同的基板材料。

18、FQFP（finepitchquadflatpackage）小引腳中心距QFP。通常指引腳中心距小于0.65mm的QFP（見QFP）。部分導(dǎo)導(dǎo)體廠家采用此名稱。

19、CPAC（globetoppadarraycarrier）美國Motorola公司對(duì)BGA的別稱（見BGA）。

20、CQFP（quadfiatpackagewithguardring）帶保護(hù)環(huán)的四側(cè)引腳扁平封裝。塑料QFP之一，引腳用樹脂保護(hù)環(huán)掩蔽，以防止彎曲變形。在把LSI組裝在印刷基板上之前，從保護(hù)環(huán)處切斷引腳并使其成為海鷗翼狀（L形狀）。這種封裝在美國Motorola公司已批量生產(chǎn)。引腳中心距0.5mm，引腳數(shù)最多為208左右。

21、H-（withheatsink）表示帶散熱器的標(biāo)記。例如，HSOP表示帶散熱器的SOP。

22、pingridarray（surfacemounttype）表面貼裝型PGA。通常PGA為插裝型封裝，引腳長(zhǎng)約3.4mm。表面貼裝型PGA在封裝的底面有陳列狀的引腳，其長(zhǎng)度從1.5mm到2.0mm。貼裝采用與印刷基板碰焊的方法，因而也稱為碰焊PGA。因?yàn)橐_中心距只有 1.27mm，比插裝型PGA小一半，所以封裝本體可制作得不怎么大，而引腳數(shù)比插裝型多（250～528），是大規(guī)模邏輯LSI用的封裝。封裝的基材有多層陶瓷基板和玻璃環(huán)氧樹脂印刷基數(shù)。以多層陶瓷基材制作封裝已經(jīng)實(shí)用化。

23、JLCC（J-leadedchipcarrier）J形引腳芯片載體。指帶窗口CLCC和帶窗口的陶瓷QFJ的別稱（見CLCC和QFJ）。部分半導(dǎo)體廠家采用的名稱。

24、LCC（Leadlesschipcarrier）無引腳芯片載體。指陶瓷基板的四個(gè)側(cè)面只有電極接觸而無引腳的表面貼裝型封裝。

是高速和高頻IC用封裝，也稱為陶瓷QFN或QFN-C（見QFN）。

25、LGA（landgridarray）觸點(diǎn)陳列封裝。即在底面制作有陣列狀態(tài)坦電極觸點(diǎn)的封裝。裝配時(shí)插入插座即可?，F(xiàn)已實(shí)用的有227觸點(diǎn)（1.27mm中心距）和447觸點(diǎn)（2.54mm中心距）的陶瓷LGA，應(yīng)用于高速邏輯LSI電路。LGA與QFP相比，能夠以比較小的封裝容納更多的輸入輸出引腳。另外，由于引線的阻抗小，對(duì)于高速LSI是很適用的。但由于插座制作復(fù)雜，成本高，現(xiàn)在基本上不怎么使用。預(yù)計(jì)今后對(duì)其需求會(huì)有所增加。

26、LOC（leadonchip）芯片上引線封裝。LSI封裝技術(shù)之一，引線框架的前端處于芯片上方的一種結(jié)構(gòu)，芯片的中心附近制作有凸焊點(diǎn)，用引線縫合進(jìn)行電氣連接。與原來把引線框架布置在芯片側(cè)面附近的結(jié)構(gòu)相比，在相同大小的封裝中容納的芯片達(dá)1mm左右寬度。

27、LQFP（lowprofilequadflatpackage）薄型QFP。指封裝本體厚度為1.4mm的QFP，是日本電子機(jī)械工業(yè)會(huì)根據(jù)制定的新QFP外形規(guī)格所用的名稱。

28、L-QUAD陶瓷QFP之一。封裝基板用氮化鋁，基導(dǎo)熱率比氧化鋁高7～8倍，具有較好的散熱性。封裝的框架用氧化鋁，芯片用灌封法密封，從而抑制了成本。是為邏輯LSI開發(fā)的一種封裝，在自然空冷條件下可容許W3的功率。現(xiàn)已開發(fā)出了208引腳（0.5mm中心距）和160引腳 （0.65mm中心距）的LSI邏輯用封裝，并于1993年10月開始投入批量生產(chǎn)。

29、MCM（multi-chipmodule）多芯片組件。將多塊半導(dǎo)體裸芯片組裝在一塊布線基板上的一種封裝。根據(jù)基板材料可分為MCM-L，MCM-C和MCM-D三大類。

以封裝材料來分，大體分為如下四種：

1、金屬封裝

金屬封裝始于三極管封裝，后慢慢地應(yīng)用于直插式扁平式封裝，基本上乃是金屬-玻璃組裝工藝。由于該種封裝尺寸嚴(yán)格、精度高、金屬零件便于大量生產(chǎn)，故其價(jià)格低、性能優(yōu)良、封裝工藝容易靈活，被廣泛應(yīng)用于晶體管和混合集成電路如振蕩器、放大器、鑒頻器、交直流轉(zhuǎn)換器、濾頗器、繼電器等等產(chǎn)品上，現(xiàn)在及將來許多微型封裝及多芯片模塊(MCM)也采用此金屬封裝。金屬封裝的種類有光電器件封裝包括帶光窗型、帶透鏡型和帶光纖型；分妒器件封裝包括A型、B型和C型；混合電路封裝包括雙列直插型和扁平型；特殊器件封裝包括矩正型、多層多窗型和無磁材料型。

2、陶瓷封裝

早期的半導(dǎo)體封裝多以陶瓷封裝為主，伴隨著半導(dǎo)體器件的高度集成化和高速化的發(fā)展，電子設(shè)備的小型化和價(jià)格的降低，陶瓷封裝部分地被塑料封裝代替，但陶瓷封裝的許多用途仍具有不可替代的功能，特別是集成電路組件工作頻率的提高，信號(hào)傳送速度的加快和芯片功耗的增加，需要選擇低電阻率的布線導(dǎo)體材料，低介電常數(shù)，高導(dǎo)電率的絕緣材料等。陶瓷封裝的種類有DIP和SIP；對(duì)大規(guī)模集成電路封裝包括PGA，PLCC，QFP和BGA。

3、金屬一陶瓷封裝

它是以傳統(tǒng)多層陶瓷工藝為基礎(chǔ)，以金屬和陶瓷材料為框架而發(fā)展起來的。最大特征是高頻特性好而噪音低而被用于微波功率器件，如微波毫米波二極管、微波低噪聲三極管、微波毫米波功率三極管。正因如此，它對(duì)封裝體積大的電參數(shù)如有線電感、引線電阻、輸出電容、特性阻抗等要求苛刻，故其成品率比較低；同時(shí)它必須很好地解決多層陶瓷和金屬材料的不同膨脹系數(shù)問題，這樣才能保證其可靠性。金屬一陶瓷封裝的種類有分立器件封裝包括同軸型和帶線型；單片微波集成電路(MMIC)封裝包括載體型、多層陶瓷型和金屬框架一陶瓷絕緣型。

4、塑料封裝

塑料封裝由于其成本低廉、工藝簡(jiǎn)單，并適于大批量生產(chǎn)，因而具有極強(qiáng)的生命力，自誕生起發(fā)展得越來越快，在封裝中所占的份額越來越大。目前塑料封裝在全世界范圍內(nèi)占集成電路市場(chǎng)的95％以上。在消費(fèi)類電路和器件基本上是塑料封裝的天下；在工業(yè)類電路中所占的比例也很大，其封裝形式種類也是最多。塑料封裝的種類有分立器件封裝，包括A型和F型；集成電路封裝包括SOP、DIP、QFP和BGA等。

當(dāng)然還有很多方式來概述電子元器件的封裝形式，這里就不一一列舉了。