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  • 東芝推出新一代超結(jié)功率MOSFET,進一步提高電源
    東芝推出新一代超結(jié)功率MOSFET,進一步提高電源
  • 東芝推出新一代超結(jié)功率MOSFET,進一步提高電源
  •   發(fā)布日期: 2018-09-16  瀏覽次數(shù): 1,027

    電源效率對電源來說非常重要,效率越高,電源壽命,損耗都會得到很好的改善。
         為滿足市場需求,東芝近日推出新系列的下一代650V功率MOSFET——TK040N65Z,它能有效提高電源效率。

    新產(chǎn)品可以用于數(shù)據(jù)中心服務(wù)器電源、太陽能(PV)功率調(diào)節(jié)器、不間斷電源系統(tǒng)(UPS)和其他工業(yè)應(yīng)用。它采用業(yè)界標準的TO-247封裝,既實現(xiàn)了與舊版設(shè)計的兼容性,也適用于新項目。

    那么,它是如何有效提高電源效率的呢?

    首先,TK040N65Z是一款支持續(xù)漏極電流高達57A,脈沖電流高達228A的650V器件,它提供0.04Ω超低漏源極導(dǎo)通電阻RDS(ON),可有效減少電源應(yīng)用中的損耗。得益于更低的電容設(shè)計,它成為現(xiàn)代高速電源應(yīng)用的理想之選。

    另外,TK040N65Z關(guān)鍵性能指標/品質(zhì)因數(shù)(FoM)—RDS(ON)×Qgd的降低使得電源效率得到提高,比上一代器件提升40%!

    在這個連小學(xué)生做作業(yè)都講求高效率的年代,還有什么是高效率不能解決的呢?未來,東芝將致力于擴大產(chǎn)品陣容,以滿足提高電源和電源系統(tǒng)的效率的市場需求,請大家繼續(xù)期待!


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