加速器件

MOS管開通的時候，開啟的速度主要取決于二極管的反向特性。

因此MOS管關(guān)斷的時間需要我們?nèi)?yōu)化，放電曲線取決于Rgate，Rgate越小則關(guān)斷越快。下面有好幾個方案：

1.二極管關(guān)斷電路

這是最簡單的加速電路。Rgate調(diào)整著MOS管的開啟速度，當關(guān)斷的時候，由二極管短路電阻，此時G極電流最小為：Imin=Vf/Rgate。

此電路的優(yōu)點是大大加速了關(guān)斷的速度，但是它僅在電壓高的時候工作，且電流仍舊流向驅(qū)動器。

2.PNP關(guān)斷電路

這是最流行和通用的電路，利用PNP的管子，在關(guān)斷期間，源極和柵極被短路了。二極管提供了開啟時候的電流通路（并且有保護PNP管子eb免受反向電壓的影響），Rgate限制了開啟的速度。

電路的最大的好處是放電電流的尖峰被限制在最小的環(huán)路中，電流并不返回至驅(qū)動器，因此也不會造成地彈的現(xiàn)象，驅(qū)動器的功率也小了一半，三極管的存在減小了回路電感。仔細看這個電路其實是圖騰柱結(jié)構(gòu)的簡化，電路的唯一的缺點是柵極電壓并不釋放到0V，而是存在EC極的壓差。

3.NPN關(guān)斷電路

優(yōu)點和上面的PNP管子相同，缺點是加入了一個反向器，加入反向器勢必會造成延遲。

4.NMOS關(guān)斷電路

這個電路可以使得MOS管關(guān)斷非常快，并且柵極電壓完全釋放至零電壓。不過小NMOS管子需要一個方向電壓來驅(qū)動。問題也存在，NMOS的Coss電容和主MOS管的CISS合成變成等效的電容了