簡介sc-l和食人魚（H2SO4/H2O2）清潔劑多年來一直用于去除顆粒物和有機污染物。雖然SC-1清潔劑（通常與外加的兆頻超聲波功率一起使用）被認為在顆粒去除方面非常有效，但去除機理仍不清楚。食人魚清洗是去除重有機污染物的有效方法；然而，食人魚后的殘留物會牢牢粘附在晶片表面，導致顆粒生長。已經(jīng)進行了一系列實驗，以幫助理解這些工藝與硅之間的相互作用

實驗
以評估食人魚清洗后晶片上剩余的硫量，150 mm n型裸硅和熱氧化晶片在95°C下用5:1或10:1（氫、硫、氫、氧）食人魚處理10分鐘。在對沖洗過程進行各種修改后，使用飛行時間二次離子質譜（TOF-Sims）和全反射X射線熒光光譜（TXRF）測量殘余硫。在清潔和干燥晶圓后，還測量了光斑缺陷隨時間的變化。經(jīng)過食人魚處理后，晶片顯示出顆粒生長。這些分析技術的數(shù)據(jù)用于評估各種沖洗技術的功效結果與討論
在SC-1化學品的研究中，清洗效率與稀釋或霧度增加時測得的開路電位有關。使用SC-1化學品。圖1顯示了基于去除硅酸鈉顆粒的夾具去除效率。這些實驗是在已知影響硅蝕刻的條件下進行的（n型和p型硅<；100>；，有照明）。圖2顯示了相同數(shù)量的霧度增量pyybagg

圖1 作為晶片類型和照明條件的函數(shù)的LPD去除

圖2 作為晶片類型和光照條件的函數(shù)的霧度

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3ycaneggaabx0yqt7p0432。PNG×圖2霾霾值作為晶片類型和照明條件的函數(shù)可能與表面粗糙度有關，這是由基質中的優(yōu)先硅{ 100 }蝕刻所引起的基礎介導的。如您所見，導致霧度和蝕刻增加的條件與粒子移動效率的增加無關（見圖1）。當在親晶晶片上使用不含H202的充分稀釋的氨溶液時，硅的堿性侵蝕和粗糙度最小化，但顆粒仍然有效去除。當疏水裸硅晶片用稀氨溶液處理時，霧度顯著增加。SC-1預清洗步驟產生的薄化學氧化物似乎足以抑制極稀氨性蝕刻中硅表面的堿。這些數(shù)據(jù)表明，硅的蝕刻不是有效清潔的必要條件。為了了解強聲波在顆粒去除中的物理機理，需要建立清洗槽內聲壓場的預測模型。使用光線追蹤法，將計算的一維壓力場與測量值進行比較，如圖3所示。為了在沒有反射的情況下獲得力的測量值，實驗傳感器工作在脈沖模式下，脈沖持續(xù)時間約為50微秒。該建模方法與實測值吻合良好，可用于預測各種儲罐幾何形狀下的壓力場，最終可用于優(yōu)化未來工具

過氧化硫酸（食人魚）沖洗：
食人魚清洗后，清洗后殘留在晶片上的硫污染物將牢固粘附在硅表面。當晶圓暴露在潔凈室的空氣中時，隨著時間的推移，殘余的硫會產生顆粒污染。圖4所示的食人魚清潔晶片的TOF-SIMS負離子和正離子圖像顯示，顆粒由“Sox”和NH4組成。已發(fā)現(xiàn)，向食人魚反洗槽中添加少量的氫氧化物（例如，足以達到pH=10）可以有效降低硫的表面濃度，并減少食人魚引起的顆粒生長。通過全反射X射線熒光（TXRF）測量的硫濃度如圖5所示，用于堿性清洗和去離子水中清洗

圖4 TOF-SIMS負（左）和正（右）

圖5 堿性和去離子水沖洗后的表面硫濃度

124該模型將允許浴缸制造商根據(jù)第一原則

根據(jù)食人魚清潔和沖洗的順序計算清潔性能，硫會殘留在硅片表面。當晶片儲存在潔凈室環(huán)境中時，該殘留物形成顆粒物質。TOF-SIMS用于確定這些顆粒為硫酸Hyun。在食人魚之后，使用堿性沖洗液（例如，pH=10）可以有效降低殘余硫濃度，從而隨著時間的推移抑制顆粒形成。