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幾十年來，硅一直主導(dǎo)著晶體管世界，但這種情況正在逐漸發(fā)生變化。已經(jīng)開發(fā)出由兩種或三種材料制成的化合物半導(dǎo)體，并具有獨特的優(yōu)勢和卓越的特性。例如，化合物半導(dǎo)體為我們提供了?LED：一種是由砷化鎵 (GaAs) 和砷化鎵和磷 (GaAsP) 的混合物組成；其他人使用銦和磷。
雖然化合物半導(dǎo)體更難制造且更昂貴，但與硅相比，它們具有顯著的優(yōu)勢。汽車電氣系統(tǒng)和電動汽車 (EV) 等新的、要求更高的應(yīng)用的設(shè)計人員發(fā)現(xiàn)，化合物半導(dǎo)體更能滿足其嚴格的規(guī)范。
近年來，研究人員和技術(shù)人員一直在共同努力，尋找優(yōu)化器件能效和提高器件性能的解決方案。盡管微控制器在數(shù)碼設(shè)備上已經(jīng)達到了非凡的節(jié)能水平，但是在功率器件中使用新材料也取得了最佳效果。不久前，人們認為SiC和GaN器件的應(yīng)用相當困難。但2018年，這些技術(shù)的優(yōu)勢開始應(yīng)用到現(xiàn)實生活中（比如采用SiC MOSFET的Tesla Model3主逆變器）。這項新技術(shù)成功的原因是什么？
SiC和GaN被稱為“寬帶隙半導(dǎo)體”（WBG），因為將這些材料的電子從價帶擴散到導(dǎo)帶需要能量: 其中硅（Silicon）所需能量為1.1eV，氮化硅（SiC）則需3.3eV，氮化鎵（GaN）則需3.4eV. 這就帶來了更高的擊穿電壓，在某些應(yīng)用中可高到1200-1700V。通過合適的生產(chǎn)工藝，WBG展現(xiàn)出以下優(yōu)點：
●極低的內(nèi)部電阻，與同類硅器件相比，效率可提高70%
●低電阻可改善熱性能（最高工作溫度增加了）和散熱，并可獲得更高的功率密度
●散熱得到優(yōu)化，與同類硅器件相比，就可以采用更簡單的封裝、尺寸和重量也大大減少
●極短的關(guān)斷時間（GaN器件接近于零）能夠工作于非常高的開關(guān)頻率，而且工作溫度也更低
作為解決方案出現(xiàn)的兩種化合物半導(dǎo)體器件是氮化鎵和碳化硅功率晶體管。這些器件與壽命長的硅功率 LDMOS?MOSFET?和超級結(jié) MOSFET 競爭。GaN 和 SiC 器件在某些方面相似，但有顯著差異。本文將兩者進行比較并提供信息以幫助您為下一個設(shè)計做出決定。
圖 1：流行的高壓、大電流晶體管和其他設(shè)備以及主要應(yīng)用的功率能力與開關(guān)頻率的關(guān)系
寬帶隙半導(dǎo)體
化合物半導(dǎo)體被稱為寬帶隙器件。在不訴諸晶格結(jié)構(gòu)、能級和其他令人麻木的半導(dǎo)體物理學(xué)的情況下，我們只想說 WBG 的定義試圖描述電流（電子）如何在化合物半導(dǎo)體中流動。
WBG 化合物半導(dǎo)體具有高電子遷移率和更高的帶隙能量，轉(zhuǎn)化為優(yōu)于硅的特性。由 WBG 化合物半導(dǎo)體制成的晶體管具有更高的擊穿電壓和更大的高溫耐受性。對于高壓和高功率應(yīng)用，這些器件優(yōu)于硅等效器件。
圖 2：雙芯片雙 FET 共源共柵電路將 GaN 晶體管轉(zhuǎn)換為常態(tài)“關(guān)斷”器件，實現(xiàn)高功率開關(guān)電路中標準的增強型操作模式。
WBG 晶體管的開關(guān)速度也更快，并且可以在比硅更高的頻率下運行。較低的導(dǎo)通電阻意味著它們消耗的功率較少，從而提高效率。這種獨特的特性組合使這些器件對汽車應(yīng)用中使用的一些最苛刻的電路具有吸引力，尤其是混合動力電動汽車 (HEV) 和 EV。
GaN 和 SiC 晶體管正變得越來越容易用于解決汽車電子設(shè)備的挑戰(zhàn)。GaN 和 SiC 器件的關(guān)鍵要點是以下優(yōu)勢：
GaN 晶體管在射頻?(RF) 功率領(lǐng)域找到了早期的利基。材料的性質(zhì)導(dǎo)致了耗盡型（d 型）場效應(yīng)晶體管（FET）的發(fā)展。d 型 FET 被稱為假晶高電子遷移率晶體管 (pHEMT)，自然是“導(dǎo)通”器件；沒有柵極控制輸入，存在自然傳導(dǎo)通道。柵極輸入信號控制通道導(dǎo)通并打開和關(guān)閉器件。
由于通?！瓣P(guān)閉”的增強模式（e 模式）器件在開關(guān)應(yīng)用中是首選，這導(dǎo)致了 e 模式 GaN 器件的開發(fā)。第一個是兩個 FET 器件的級聯(lián)（圖 2）；現(xiàn)在，可以使用標準的 e-mode GaN 器件。它們可以在高達 10 MHz 和高達數(shù)十千瓦的頻率下進行切換。
碳化硅晶體管
SiC 晶體管是自然的 e-mode MOSFET。這些器件可以在遠高于硅 MOSFET 的電壓和電流水平下以高達 1 MHz 的頻率進行開關(guān)。最大漏源電壓高達約 1,800 V，電流能力可達 100 A。此外，SiC 器件的導(dǎo)通電阻遠低于硅 MOSFET，使其在所有開關(guān)電源應(yīng)用中的效率更高。一個主要缺點是它們需要比其他 MOSFET 更高的柵極驅(qū)動電壓，盡管隨著設(shè)計的改進，這種情況正在發(fā)生變化。
SiC 器件需要 18 到 20 V 的柵極驅(qū)動電壓來開啟具有低導(dǎo)通電阻的器件。標準 Si MOSFET 需要小于 10 V 的柵極才能完全導(dǎo)通。此外，SiC 器件需要 –3- 至 –5-V?柵極驅(qū)動器以切換到“關(guān)閉”狀態(tài)。然而，已經(jīng)開發(fā)了特殊的柵極驅(qū)動 IC 來滿足這種需求。碳化硅 MOSFET 通常比其他替代品成本更高，但它們的高電壓、高電流能力使其非常適合汽車電源電路。
WBG晶體管競賽
GaN 和 SiC 器件都與其他成熟的半導(dǎo)體競爭，特別是 Si LDMOS MOSFET、超級結(jié) MOSFET 和?IGBT。在許多應(yīng)用中，這些較舊的器件正逐漸被 GaN 和 SiC 晶體管所取代。
例如，在許多應(yīng)用中，IGBT 正在被 SiC 器件取代。SiC 器件可以在更高的頻率（100 kHz 或更高，相對于 20 kHz）進行開關(guān)，從而在提高效率的同時減小任何電感器或變壓器的尺寸和成本。SiC 還可以處理比 GaN 更大的電流。
總結(jié) GaN 與 SiC 的比較，以下是亮點：
超級結(jié) MOSFET 正逐漸被 GaN 和 SiC 所取代。SiC 似乎是車載充電器 (OBC) 的最愛。隨著工程師發(fā)現(xiàn)更新的設(shè)備并獲得使用經(jīng)驗，這一趨勢無疑將繼續(xù)下去。
汽車應(yīng)用
許多電源電路和設(shè)備可以通過使用 GaN 和 SiC 進行設(shè)計來改進。最大的受益者之一是汽車電氣系統(tǒng)?，F(xiàn)代 HEV 和 EV 包含可以使用這些設(shè)備的設(shè)備。一些流行的應(yīng)用是 DC/DC 轉(zhuǎn)換器、OBC、電機驅(qū)動器和 LiDAR。圖 3指出了電動汽車中需要大功率開關(guān)晶體管的主要子系統(tǒng)。
圖 3：用于 HEV 和 EV 的 WBG 車載充電器。交流輸入經(jīng)過整流、功率因數(shù)校正，然后進行 DC/DC 轉(zhuǎn)換（一個輸出用于為高壓電池充電，另一個用于為低壓電池充電）。
DC/DC轉(zhuǎn)換器
這些電源電路將高電池電壓轉(zhuǎn)換為較低電壓以操作其他電氣設(shè)備。電池電壓現(xiàn)在最高可達 600 或 900 V。DC/DC 轉(zhuǎn)換器將其降至 48 或 12 V 或兩者，以便其他電子組件運行（圖 3）。在 HEV 和 EV 中，DC/DC 轉(zhuǎn)換器也可用于電池組和逆變器之間的高壓總線。
OBCs
插入式 HEV 和 EV 包含一個連接到交流電源的內(nèi)部電池充電器。這允許在沒有外部 AC-DC 充電器的情況下在家充電（圖 4）。
牽引電機驅(qū)動器
牽引電機是驅(qū)動車輪的高輸出交流電機。驅(qū)動器是一個逆變器，可將電池電壓轉(zhuǎn)換為驅(qū)動電機的三相交流電。
激光雷達
LiDAR 是指一種結(jié)合光和雷達方法來檢測和識別周圍物體的技術(shù)。它使用脈動紅外激光掃描 360° 區(qū)域并檢測反射光。該信息被轉(zhuǎn)換為大約 300 米范圍內(nèi)場景的詳細 3D 圖片，分辨率為幾厘米。其高分辨率使其成為車輛（尤其是自動駕駛）的理想傳感器，可提高對附近物體的識別能力。LiDAR 裝置使用 DC/DC 轉(zhuǎn)換器提供的 12 至 24 V 范圍內(nèi)的直流電壓工作。
圖 4：典型的 DC/DC 轉(zhuǎn)換器用于將高電池電壓轉(zhuǎn)換為 12 和/或 48 V。高壓橋中使用的 IGBT 正逐漸被 SiC MOSFET 取代。
由于其高電壓、高電流和快速開關(guān)，GaN 和 SiC 晶體管都為汽車電氣設(shè)計師提供了寬容和更簡單的設(shè)計以及卓越的性能。
