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MOS 管功率損耗竟然還可以這么測

發(fā)布日期： 2018-08-11 瀏覽次數(shù)： 2,069

MOSFET/IGBT 的開關(guān)損耗測試是電源調(diào)試中非常關(guān)鍵的環(huán)節(jié)，但很多工程師對開關(guān)損耗的測量還停留在人工計算的感性認知上，PFC MOSFET 的開關(guān)損耗更是只能依據(jù)口口相傳的經(jīng)驗反復摸索，那么該如何量化評估呢？

1.1 功率損耗的原理圖和實測圖

一般來說，開關(guān)管工作的功率損耗原理圖如圖 1所示，主要的能量損耗體現(xiàn)在“導通過程”和“關(guān)閉過程”，小部分能量體現(xiàn)在“導通狀態(tài)”，而關(guān)閉狀態(tài)的損耗很小幾乎為0，可以忽略不計。

圖 1開關(guān)管工作的功率損耗原理圖

實際的測量波形圖一般如圖 2所示。

圖 2開關(guān)管實際功率損耗測試

1.2 MOSFET 和 PFC MOSFET 的測試區(qū)別

對于普通 MOS 管來說，不同周期的電壓和電流波形幾乎完全相同，因此整體功率損耗只需要任意測量一個周期即可。但對于 PFC MOS 管來說，不同周期的電壓和電流波形都不相同，因此功率損耗的準確評估依賴較長時間（一般大于 10ms），較高采樣率（推薦 1G 采樣率）的波形捕獲，此時需要的存儲深度推薦在 10M 以上，并且要求所有原始數(shù)據(jù)（不能抽樣）都要參與功率損耗計算，實測截圖如圖 3所示。