HEXMOS與管芯構造 ， 為了增加水龍頭的流量，水龍頭能夠將口徑做得很大，這時分的水龍頭一般稱為“閥門”，當然也能夠用多個小口徑的水龍頭來替代，只是工程上很少這樣用。    

功率晶體管恰恰采用的是第二種辦法，用無數(shù)個“小晶體管”構成更大功率的晶體管，假如是分立元件，這種辦法—般稱為“并聯(lián)”，關于單個晶體管，這種辦法稱為“多（單）元集成”。    



 HEXMOS就是門前最主流的一種MOSFET“管芯單元”的規(guī)劃方式(圖1. 20)，專利是美國IR公司的。由于“管芯單元”的規(guī)劃外形呈”Hcxagonal（六邊形）而得名。    

圖1. 20所示的是N溝道的HEXFET的構造表示圖，圖中也畫出了電流的方向。由于MOSFET只能耐受比擬高的正向電壓，多數(shù)MOSFET曾經(jīng)內(nèi)置了維護二極管，這就是體二極管。關于體二極管，在后續(xù)章節(jié)中還會有細致引見。    

需求闡明的是，這是一個3D構造，漏極和漏區(qū)在垂直方向。每一個六邊形單元并不是一個“管芯單元”，而是多個“管芯單元”的排列組合。這一點從電子顯微鏡照片上能夠更為分明地看到（圖1. 21）。    

每一個并聯(lián)的“小晶體管”稱為“Cell”或者“Chip Cell"，普通中文材料都將其譯為“元胞”，本書則將它們稱為“管芯單元”，由于它們就是一個個完好的微型品體管。無論是小功率還是大功率晶體管，都包含不止一個這樣的“管芯單元”，只是數(shù)量不同而已。    

最后封裝在一同的“管芯唯元”的匯合，就是“管芯”。“管芯單元”在“管芯”上的排列辦法與多個分立元件的晶體管并聯(lián)排列辦法有很大的不同，但是目的是相同的：優(yōu)化電路規(guī)劃，減少占板面積。關于“管芯”而言，是在盡量小的硅片上包容盡量多的“管芯單元”。  

雖然HEXFET是目前較為主流的規(guī)劃構造，為很多第"方制造商所采用，但也不是獨一的規(guī)劃。