國(guó)際半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)協(xié)會(huì)(SEMI)12月18日指出，2018年全球晶圓廠設(shè)備投資金額將由8月時(shí)預(yù)測(cè)的成長(zhǎng)14%、下修至成長(zhǎng)10%，明(2019)年投資金額將從原先預(yù)測(cè)的成長(zhǎng)7%、下修至衰退8%；記憶體價(jià)格下跌和美中貿(mào)易戰(zhàn)的影響使公司改變投資計(jì)劃，為晶圓廠資本投資快速下滑的兩大主因。

SEMI 公布“全球晶圓廠預(yù)測(cè)報(bào)告”指出，甫進(jìn)入2018 年時(shí)，原預(yù)估全球半導(dǎo)體晶圓廠設(shè)備市場(chǎng)將延續(xù)罕見(jiàn)的4 年連續(xù)成長(zhǎng)、直至明年，但今年8 月時(shí)SEMI 綜合收集分析全球超過(guò) 400 間晶圓廠主要投資計(jì)劃后，預(yù)估今年下半年到明年上半年，晶圓廠投資金額將呈下滑態(tài)勢(shì)；然而，有鑒于近期的市場(chǎng)情勢(shì)，下滑幅度恐將較原先的預(yù)期更劇烈；預(yù)估今年下半年及明年上半年晶圓設(shè)備銷(xiāo)售金額將分別下滑13 和16 個(gè)百分點(diǎn)，直到明年下半年才可望出現(xiàn)轉(zhuǎn)圜。

SEMI臺(tái)灣區(qū)總裁曹世綸分析，記憶體價(jià)格下跌和美中貿(mào)易戰(zhàn)導(dǎo)致公司投資計(jì)劃改變，是晶圓廠資本投資快速下滑的兩大主因，其中，以先進(jìn)記憶體制造商、中國(guó)晶圓廠、28 納米或以上成熟制程業(yè)者的資本支出縮減，對(duì)全球半導(dǎo)體設(shè)備市場(chǎng)的影響最大。

在記憶體部分，SEMI進(jìn)一步指出，繼今年年初NAND型快閃記憶體價(jià)格急速下滑后，動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取記憶體( DRAM )價(jià)格也在第四季出現(xiàn)松動(dòng)，連續(xù)兩年的DRAM盛世恐將結(jié)束，而存貨調(diào)整和中央處理器 ( CPU )的產(chǎn)量不足，將導(dǎo)致更劇烈的價(jià)格下滑。記憶體業(yè)者為快速反應(yīng)市場(chǎng)情況而減少資本支出，暫緩已經(jīng)訂購(gòu)的設(shè)備出貨，預(yù)期NAND快閃記憶體相關(guān)投資甚至將出現(xiàn)兩位數(shù)的衰退。

SEMI也修正了先前對(duì)記憶體資本支出成長(zhǎng)3%的預(yù)測(cè)，預(yù)估明年整體記憶體資本支出將下滑19%，其中以DRAM下滑最劇烈，下滑幅度達(dá)23%，至于在3D NAND部分則將下滑13%。SEMI并指出，以地區(qū)來(lái)看，中國(guó)大陸和韓國(guó)是晶圓廠設(shè)備投資金額下滑幅度最大的兩個(gè)地區(qū)。

不過(guò)，SEMI也表示，雖然大部分的記憶體廠皆計(jì)劃減少資本投資，但美光為例外。明年美光預(yù)估將投資約105億美元，較今年的82億美元投資金額提高約28%，這筆投資主要用于擴(kuò)張和升級(jí)既有廠房設(shè)施。

業(yè)界人士分析，整體全球半導(dǎo)體景氣已自今年第3季高峰急轉(zhuǎn)直下，三星最賺錢(qián)的記憶體需求也受到影響，并從第3季起緊急削減資本支出，其中記憶體減幅高達(dá)27％，且明年也可能延續(xù)保守的資本支出心態(tài)。臺(tái)系DRAM大廠南亞科也宣布今年資本支出由原訂240億元，降至210億元，降幅超過(guò)一成。

半導(dǎo)體設(shè)備廠強(qiáng)調(diào)，除了三星、南亞科外，SK海力士與美光的DRAM增產(chǎn)腳步也趨緩，這些廠商都是這兩年半導(dǎo)體設(shè)備主要買(mǎi)家。從削減資本支出的動(dòng)作來(lái)看，各廠似乎都擔(dān)心美中貿(mào)易戰(zhàn)干擾市場(chǎng)買(mǎi)氣，藉由縮減資本支出，減緩DRAM與NAND Flash的跌勢(shì)。

臺(tái)積也下修今年資本支出為100億到105億美元，比原訂的115億至120億美元，減少約一成；但臺(tái)積電之前也在供應(yīng)鏈管理論壇表示，未來(lái)幾年的資本支出，仍會(huì)落在100億至120億美元。