目前的智能手機普遍實現(xiàn)了處理器SoC和內存（DRAM）的堆疊式封裝（PoP），從AMD日前公布的信息來看，PC產(chǎn)品也有望實現(xiàn)類似的技術。

在Rice Oil&Gas高性能計算會議上，AMD高級副總裁Forrest Norrod介紹，他們正跟進3D封裝技術，目標是將DRAM/SRAM（即緩存等）和處理器（CPU/GPU）通過TSV（硅穿孔）的方式整合在一顆芯片中。

其實此前，AMD就率先推出了HBM顯存產(chǎn)品，實現(xiàn)了GPU芯片和顯存芯片整合封裝，但那僅僅屬于2.5D方案。

3D堆疊的好處在于縮短了電流傳遞路徑，也就是會降低功耗。不過，3D封裝的挑戰(zhàn)在于如何控制發(fā)熱。

遺憾的是，AMD并未公布更多技術細節(jié)。

AMD稱，雖然光刻工藝在精進，但是頻率甚至要開始走下坡路，需要一些新的設計助力。

其實Intel今年也公布了名為Foveros的3D芯片封裝技術，將22nm I/O基板、10nm Sunny Core和四核Atom整合在一起，功耗僅7瓦。