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  • 詳解TOLL封裝MOS管應(yīng)用和特點(diǎn)
    詳解TOLL封裝MOS管應(yīng)用和特點(diǎn)
  • 詳解TOLL封裝MOS管應(yīng)用和特點(diǎn)
  •   發(fā)布日期: 2023-11-16  瀏覽次數(shù): 1,854

    首選了解下TOLL封裝

    TOLL封裝是一種具有小體積、低封裝電阻和低寄生電感的封裝形式,常用于MOSFET。TOLL封裝的優(yōu)點(diǎn)包括小體積、低封裝電阻、低寄生電感、低熱阻等特點(diǎn),使得它非常適合用于大功率、大電流、高可靠性等應(yīng)用場(chǎng)景。

    TOLL封裝的MOSFET產(chǎn)品已經(jīng)廣泛應(yīng)用于電動(dòng)自行車、電動(dòng)摩托車、鋰電保護(hù)、通信電源等終端客戶。例如,維安TOLL封裝的功率MOSFET產(chǎn)品系列最大電流可達(dá)300A以上,主要應(yīng)用于類似動(dòng)力BMS、逆變儲(chǔ)能、低速電動(dòng)車、電動(dòng)工具、無(wú)人機(jī)電調(diào)、潛航器電機(jī)等大電流應(yīng)用場(chǎng)景。

    TOLL封裝還具有更高的效率和更低的系統(tǒng)成本、更少的并聯(lián)數(shù)量和冷卻需求、更優(yōu)秀的EMI性能等優(yōu)勢(shì)。

    TOLL封裝是一種具有廣泛應(yīng)用前景的MOSFET封裝形式,適用于大功率、大電流、高可靠性等應(yīng)用場(chǎng)景。

    TOLL封裝MOS管的特點(diǎn)

    TOLL封裝MOS管是一種常用的封裝方式,它具有以下特點(diǎn)

    高集成度TOLL封裝MOS管在制造過(guò)程中采用微小尺寸的芯片,使得集成度高,能夠在有限的空間內(nèi)實(shí)現(xiàn)更多的功能。

    低功耗TOLL封裝MOS管具備低功耗的特點(diǎn),能夠有效延長(zhǎng)電池壽命,提高設(shè)備的使用時(shí)間。

    高可靠性由于TOLL封裝MOS管采用高品質(zhì)的材料和嚴(yán)格的生產(chǎn)工藝,因此具有較高的可靠性,能夠在惡劣的環(huán)境下正常工作。

    廣泛應(yīng)用TOLL封裝MOS管廣泛應(yīng)用于手機(jī)、平板電腦、電子游戲、汽車電子控制系統(tǒng)等領(lǐng)域,具有重要的應(yīng)用價(jià)值。

    TOLL封裝MOS管的使用注意事項(xiàng)

    使用TOLL封裝MOS管時(shí),需要注意以下幾點(diǎn)

    靜電防護(hù)由于TOLL封裝MOS管對(duì)靜電敏感,因此在使用前需要進(jìn)行靜電防護(hù)措施,避免損壞元器件。

    導(dǎo)熱性能TOLL封裝MOS管對(duì)散熱要求較高,需要注意散熱設(shè)計(jì),保證元器件能夠正常工作。

    焊接溫度在焊接TOLL封裝MOS管時(shí),需要控制好焊接溫度,避免因過(guò)高的溫度導(dǎo)致元器件受損。

    存儲(chǔ)環(huán)境TOLL封裝MOS管需要在低溫、干燥、無(wú)腐蝕性氣體的環(huán)境下進(jìn)行存儲(chǔ),避免出現(xiàn)質(zhì)量問(wèn)題。

    封裝規(guī)格根據(jù)具體應(yīng)用需求,選擇合適的TOLL封裝MOS管規(guī)格,確保其電氣性能和尺寸適配。

    常見(jiàn)問(wèn)題一TOLL封裝MOS管的可靠性如何

    答TOLL封裝MOS管采用高品質(zhì)的材料和嚴(yán)格的生產(chǎn)工藝,具有較高的可靠性。我們的公司在生產(chǎn)過(guò)程中嚴(yán)格把控質(zhì)量,確保每一顆產(chǎn)品都符合國(guó)際標(biāo)準(zhǔn)。在使用過(guò)程中,我們建議客戶注意靜電防護(hù)和散熱問(wèn)題,以保證TOLL封裝MOS管的可靠性。

    常見(jiàn)問(wèn)題二TOLL封裝MOS管的應(yīng)用范圍是什么

    答TOLL封裝MOS管廣泛應(yīng)用于手機(jī)、平板電腦、電子游戲、汽車電子控制系統(tǒng)等領(lǐng)域。由于其高集成度、低功耗和穩(wěn)定性好的特點(diǎn),TOLL封裝MOS管在現(xiàn)代電子產(chǎn)品中扮演著重要的角色。

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    TOLL封裝相比TO-263封裝的優(yōu)缺點(diǎn):
    • 低的封裝電阻及寄生電感,帶來(lái)了更小的導(dǎo)通阻抗、更高的峰值電流以及出色的EMI表現(xiàn)。這可以減少大功率應(yīng)用中并聯(lián)MOSFET的數(shù)量,并提高功率密度,與TO-263-2L相比封裝電阻降低75%,電流增大一倍。
    • 與TO-263-2L封裝相比,TOLL封裝的PCB占板面積減少了30%,高度減低了50%,電路板空間減少60%,更適合高功率密度應(yīng)用場(chǎng)合。
    • 與TO-263-2L封裝相比,TOLL 封裝的Source極焊料接觸面積增加了4倍,從而降低了電流密度,避免了高電流和溫度下導(dǎo)致的電遷移,從而提高了可靠性。
    • 出色的散熱性能,帶來(lái)的優(yōu)異的溫升表現(xiàn),提高了產(chǎn)品的可靠性。

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