1. 變壓器圖紙、PCB、原理圖這三者的變壓器飛線位號需一致，這是安規(guī)認(rèn)證要求。很多工程師在申請安規(guī)認(rèn)證提交資料時(shí)會(huì)犯這個(gè)錯(cuò)誤。



2. X 電容的泄放電阻需放兩組。UL62368、CCC 認(rèn)證要求斷開一組電阻再測試 X 電容的殘留電壓。

這是很多新手會(huì)犯的一個(gè)錯(cuò)誤，修正只能重新改 PCB Layout，浪費(fèi)自己和采購打樣的時(shí)間。

 

 

3. 變壓器飛線的 PCB 孔徑需考慮到最大飛線直徑，必要時(shí)預(yù)留兩組一大一小的 PCB 孔，避免組裝困難或過爐空焊問題。

安規(guī)申請認(rèn)證通常會(huì)有一個(gè)系列，比如說 24W 申請一個(gè)系列，其中包含 4.2V-36V 電壓段，輸出低壓4.2V 大電流和高壓36V 小電流的飛線線徑是不一樣的。

多根飛線直徑計(jì)算參考如下表格：

 

 

4. 輸出 DC 線材的 PCB 孔徑需考慮到最大線材直徑，避免組裝困難。

因?yàn)槟愕?PCB 可能會(huì)用在不同電流段上，比如5V/8A 和 20V/2A 使用的線材是不一樣的。



參考如下表格：

 

 

5. 電路調(diào)試，OCP 限流電阻多個(gè)并聯(lián)的阻值要設(shè)計(jì)成一樣，阻值越大的那顆電阻承受的功率越大。

 

6. 電路設(shè)計(jì)，散熱片引腳的孔做成長方形橢圓形 (經(jīng)驗(yàn)值：2*1mm)，避免組裝困難。

橢圓形的孔方便散熱器有個(gè)移動(dòng)的空間，這對組裝和過爐是非常有利。



7. 電路調(diào)試，異常測試時(shí)，輸出電壓或 OVP 設(shè)計(jì)要小于 60Vac (Vpk) /42.4Vdc (Vrms)，這是安規(guī)要求。

新手比較容易忽略，所以申請認(rèn)證的產(chǎn)品一定要做 OVP 測試，抓輸出瞬間波形。



8. 電路設(shè)計(jì)，電解電容的防爆孔距離大于2mm，臥式彎腳留1.5mm。一般正規(guī)公司都有這個(gè)要求，防爆孔的問題日本比較重視，特殊情況除外。



9. 電路調(diào)試，輸出有 LC 濾波的電路需要老化確認(rèn)紋波，如果紋波異常請調(diào)整環(huán)路。這一點(diǎn)很重要，我之前經(jīng)常碰到這個(gè)問題，產(chǎn)線老化后測試紋波會(huì)變高，現(xiàn)象是環(huán)路震蕩。



10. 電路調(diào)試，二極管并聯(lián)時(shí),應(yīng)該測試一顆二極管故障開路時(shí), 產(chǎn)生的異常 (包括 TO-220 里的兩顆二極管)。小公司一般都不會(huì)做這個(gè)動(dòng)作的，一款優(yōu)秀的產(chǎn)品是要經(jīng)得起任何考驗(yàn)的。

 

11. 電路設(shè)計(jì)，如果 PCB 空間充裕，請?jiān)O(shè)計(jì)成通殺所有安規(guī)標(biāo)準(zhǔn)，以減少 PCB 修改次數(shù)。

假設(shè)某一產(chǎn)品只符合 UL60335標(biāo)準(zhǔn)，如客戶希望滿足 UL1310，需要修改 PCB Layout 并拿去安規(guī)報(bào)備。如果一開始即符合各類標(biāo)準(zhǔn)，后面的工作會(huì)輕松很多。



12. 電路設(shè)計(jì)，ESD 設(shè)計(jì)成接觸±8KV/空氣±15KV 標(biāo)準(zhǔn)，減少后續(xù)整改次數(shù)。

像飛利浦這樣的客戶對 ESD 要求非常嚴(yán)的，聽說富士康的還需要達(dá)到±20KV，哪天有這種客戶要求，你又得忙一段時(shí)間了。



13. 電路設(shè)計(jì)，設(shè)計(jì)變壓器時(shí)，VCC 電壓在輕載電壓要大于 IC 的欠壓關(guān)斷電壓值。判斷空載 VCC 電壓需大于芯片關(guān)斷電壓的 5V 左右，同時(shí)確認(rèn)滿載時(shí)不能大于芯片過壓保護(hù)值。



14. 電路設(shè)計(jì)，設(shè)計(jì)共用變壓器需考慮到使用最大輸出電壓時(shí)的 VCC 電壓，低溫時(shí) VCC 有稍微 NOSIE 會(huì)碰觸 OVP 動(dòng)作。

如果你的產(chǎn)品9V-15V 是共用一個(gè)變壓器，請確認(rèn) VCC 電壓和功率管耐壓。



15. 電路調(diào)試，Rcs 與 Ccs 值不能過大，否則會(huì)造成 VDS 超過最大耐壓炸機(jī)。

LEB 前沿消隱時(shí)間設(shè)短了，比尖峰脈沖的時(shí)間還短，那就沒有效果了還是會(huì)誤判；如果設(shè)長了，真正的過流來了起不到保護(hù)的作用。



Rcs 與 Ccs 的 RC 值不可超過1NS 的 Delay，否則輸出短路時(shí)，Vds 會(huì)比滿載時(shí)還高，超過 MOSFET 最大耐壓就可能造成炸機(jī)。



經(jīng)驗(yàn)值 1nS 的 Delay 約等于1；

K 對100PF，也等于 100R 對102PF。

 

16. 畫小板時(shí)，在小板引腳的90度拐角處增加一個(gè)圓形鉆孔，方便組裝。如圖：

 

 

 

 

這樣做可以使小板與 PCB 大板之間緊密貼合，不會(huì)有浮高現(xiàn)象。



17. 電路設(shè)計(jì)，肖特基的散熱片可以接到輸出正極線路，這樣鐵封的肖特基就不用絕緣墊和絕緣粒。



18. 電路調(diào)試，15W 以上功率的 RCD 吸收不要用 1N4007，因?yàn)?1N4007 速度慢 300uS，壓降也大1.3V，老化過程中溫度很高，容易失效造成炸機(jī)。

 

19. 電路調(diào)試，輸出濾波電容的耐壓致少需符合1.2倍余量，避勉量產(chǎn)有損壞現(xiàn)象。

之前是犯了這個(gè)很低級的錯(cuò)誤，14.5V 輸出用16V 耐壓電容，量產(chǎn)有1%的電容失效不良。



20. 電路設(shè)計(jì)，大電容或其它電容做成臥式時(shí)，底部如有跳線需放在負(fù)極電位，這樣跳線可以不用穿套管，節(jié)省成本。



21. 整流橋堆、二極管或肖特基，晶元大小元件承認(rèn)書或在 BOM 表要有描述，如67mil（理由：管控供應(yīng)商送貨一致性，避免供應(yīng)商偷工減料，影響產(chǎn)品效率）。

令人煩惱的就是供應(yīng)商做手腳，導(dǎo)致一整批試產(chǎn)的產(chǎn)品過不了六級能效，原因就是肖特基內(nèi)部晶元用小導(dǎo)致。



22. 電路設(shè)計(jì)，Snubber 電容，因?yàn)橛挟愐魡栴}，優(yōu)先使用 Mylar 電容，這是處理異音的方法之一。

 

23. 電路設(shè)計(jì)，啟動(dòng)電阻如果使用在整流前，要加串一顆幾百 K 的電阻。電阻短路時(shí),不會(huì)造成 IC 和 MOSFET 損壞。

 

 

24. 電路設(shè)計(jì)，高壓大電容并一顆103P 瓷片電容位置，理由：對輻射30-60MHz 都有一定的作用?？臻g允許的話，可以給 PCB Layout 留一個(gè)位置，方便 EMI 整改。



25. 在進(jìn)行 EMS 項(xiàng)目測試時(shí)，需測試出產(chǎn)品的最大程序，直到產(chǎn)品損壞為止。

例如 ESD 雷擊等，一定要打到產(chǎn)品損壞為止，并做好相關(guān)記錄，看產(chǎn)品余量有多少，做到心中有數(shù)。



26. 電路設(shè)計(jì)，異常測試時(shí)，短路開路某個(gè)元件如果還有輸出電壓則要進(jìn)行 LPS 測試，過流點(diǎn)不能超過8A（超過 8A 是不能申請 LPS）。

 

27. 安規(guī)開殼樣機(jī)，所有可選插件元件要裝上供拍照用，L、N 線和 DC 線與 PCB 要點(diǎn)白膠固定。

這個(gè)是經(jīng)常犯的一個(gè)毛病，經(jīng)常一股勁的把樣品送到第三方機(jī)構(gòu)，后面來來回回改來改去的。

 

28. 電路調(diào)試，冷機(jī)時(shí) PSR 需1.15倍電流能開機(jī)，SSR 需1.3倍電流能開機(jī)，避免老化后啟動(dòng)不良。PSR 現(xiàn)在很多芯片都可以實(shí)現(xiàn) “零恢復(fù)” OCP 電流，比如 ME8327N，具有 “零恢復(fù)” OCP 電流功能。



29. 電路設(shè)計(jì)，請注意使用的 Y 電容總?cè)萘?不能超過222P, 因?yàn)橛新╇娏鞯挠绊?。針對不同安?guī)，漏電流要求也不一樣，在設(shè)計(jì)時(shí)需特別留意。



30. 反激拓補(bǔ)結(jié)構(gòu)，變壓器 B 值需小于3500高斯，如果變壓器飽和一切動(dòng)作將會(huì)失控，如下左圖為正常，右圖為飽和。

  

 

變壓器的磁飽和一定要確認(rèn)，重中之重，這是首條安全性能保障，包括過流點(diǎn)的磁飽和、開機(jī)瞬間的磁飽和、輸出短路的磁飽和、高溫下的磁飽和、高低壓的磁飽和。