作為生產(chǎn)MOS管的廠家，MOS管的沒項(xiàng)參數(shù)都必須熟悉與精通，下面就來介紹一下主要特性參數(shù)，大家在電路中基本都需要了解的。

    場(chǎng)效應(yīng)管的主要特性參數(shù)

場(chǎng)效應(yīng)管的直流參數(shù) 

1.夾斷電壓Up
在UDS為某一固定值的條件下，使ID等于一個(gè)微小電流值(幾微安)時(shí)，柵極上所加偏壓UGS就是夾斷電壓。它適用于結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)管及耗盡型絕緣柵型場(chǎng)效應(yīng)管。

2. 開啟電壓UT
在UDS為某一固定值的條件下，使S 極與D 極之間形成導(dǎo)電溝道的UGS就是開啟電壓。它只適用于增強(qiáng)型絕緣柵型場(chǎng)效應(yīng)管。

3. 飽和電流IDSS
在UDS =0的條件下，漏極與源極之間所加電壓大于夾斷電壓時(shí)的溝道電流稱為飽和電流，它適用于耗盡型絕緣柵型場(chǎng)效應(yīng)管。

4. 直流輸入電阻RGS
在場(chǎng)效應(yīng)管輸入端(即柵源之間)所加的電壓Ucs 與流過的柵極電流之比，稱作直流輸入電阻。絕緣柵型場(chǎng)效應(yīng)管的直流輸入電阻比結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)管大兩個(gè)數(shù)量級(jí)以上。結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)管的直流輸入電阻為1 X 10 8Ω，而絕緣柵型場(chǎng)效應(yīng)管的直流輸入電阻為1 X 10 12Ω 以上。

5. 漏源擊穿電壓BVDS
在增大漏師、電壓的過程中.使ID開始劇增的UDS值，稱為漏源擊穿電壓。BVDS確定了場(chǎng)效應(yīng)管的使用電壓。

6. 柵源擊穿電壓BVGS
對(duì)結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)管來說，反向飽和電流開始劇增時(shí)的UGS值，即為柵游、擊穿電壓。對(duì)于絕緣柵型場(chǎng)效應(yīng)管來說，它是使SiO2 絕緣層擊穿的電壓。

場(chǎng)效應(yīng)管的微變參數(shù)

<1.跨導(dǎo)gm
在漏源電壓UDS一定時(shí)，漏極電流ID的微量變化和引起這個(gè)變化的柵源電壓微變量之比稱為跨導(dǎo)，即

跨導(dǎo)是衡量場(chǎng)效應(yīng)管柵源電壓UGS對(duì)漏極電流ID控制能力的一個(gè)參數(shù)，也是衡量場(chǎng)效應(yīng)管放大作用的重要參數(shù)之一。

<2. 漏源動(dòng)態(tài)電阻rDS
在柵灑、電壓一定時(shí)， UDS的微小變化量與ID的變化量之比，稱為漏源動(dòng)態(tài)內(nèi)阻rDS ,即

rDS的取值范圍一般為數(shù)千歐至數(shù)百千歐。

場(chǎng)效應(yīng)管的其他參數(shù)

①極間電容。場(chǎng)效應(yīng)管的三個(gè)電極間都存在著極間電容，即柵師、電容CGS、柵漏電容CGD和師、漏電容CDS。CGS和CGD一般為1 - 3pF , CDS約為0.1 - 1pF 。
②漏源最大電流IDM
它是指場(chǎng)效應(yīng)管漏源極的允許通過的最大電流。
③場(chǎng)效應(yīng)管耗散功率PD
它是指場(chǎng)效應(yīng)管工作時(shí)所耗散的功率。
④低頻噪聲系數(shù)NF
場(chǎng)效應(yīng)管的噪聲是由內(nèi)部載流子運(yùn)動(dòng)的不規(guī)則性引起的。它的存在會(huì)使一個(gè)放大器即使在沒有信號(hào)輸入時(shí)，在輸出端也會(huì)出現(xiàn)不規(guī)則的電壓或電流的變化。場(chǎng)效應(yīng)管的低頻噪聲系數(shù)要比半導(dǎo)體三極管小。