信號(hào)處理單元和片上系統(tǒng)（SoC）單元通常具有突然變化的負(fù)載瞬態(tài)變化。這種負(fù)載瞬態(tài)變化將干擾電源電壓，而電源電壓在射頻（RF）應(yīng)用中極其重要，因?yàn)樽兓碾娫措妷簳?huì)高度影響時(shí)鐘頻率。因此，射頻片上系統(tǒng)（RFSoC）通常在負(fù)載瞬態(tài)過(guò)程中使用消隱時(shí)間。在5G應(yīng)用中，信息質(zhì)量與過(guò)渡區(qū)間中的消隱時(shí)間高度相關(guān)。因此，對(duì)于任何射頻片上系統(tǒng)來(lái)說(shuō)，越來(lái)越需要減少電源側(cè)的負(fù)載瞬態(tài)效應(yīng)，以提高系統(tǒng)級(jí)性能。

　　用于射頻應(yīng)用的快速瞬態(tài)Silent Switcher 3系列

　　實(shí)現(xiàn)快速瞬態(tài)電源軌的最直接方法之一是選擇具有快速瞬態(tài)性能的穩(wěn)壓器。Silent Switcher 3系列IC具有極低頻輸出噪聲、快速瞬態(tài)響應(yīng)、低EMI輻射和高效的特性。它采用超高性能誤差放大器設(shè)計(jì)，即使采用激進(jìn)的補(bǔ)償方法也能提供額外的穩(wěn)定性。4MHz的最大開(kāi)關(guān)頻率使IC能夠在固定頻率峰值電流控制模式下將控制環(huán)路的帶寬推至50kHz的范圍。表1列出了設(shè)計(jì)人員可以選擇用以實(shí)現(xiàn)快速瞬態(tài)性能的Silent Switcher 3 IC。

　　圖1顯示了用于5G RFSoC的典型 1 V 輸出電源，其基于LT8625SP，需要同時(shí)具有快速瞬態(tài)響應(yīng)和低紋波/噪聲水平。1 V負(fù)載由發(fā)射/接收相關(guān)電路以及本振（LO）和壓控振蕩器（VCO）組成。在頻分雙工（FDD）操作中，發(fā)射/接收負(fù)載會(huì)經(jīng)歷負(fù)載電流的突然變化。與此同時(shí)，LO/VCO負(fù)載恒定，但要求高精度和低噪聲，這很關(guān)鍵。LT8625SP的高帶寬特性使設(shè)計(jì)人員能夠用第二電感（L2）分隔動(dòng)態(tài)負(fù)載和靜態(tài)負(fù)載，從而用單個(gè)IC為兩個(gè)關(guān)鍵的1 V負(fù)載組供電。圖2顯示了具有4 A至6 A動(dòng)態(tài)負(fù)載瞬態(tài)的輸出電壓響應(yīng)。動(dòng)態(tài)負(fù)載在5 μs內(nèi)恢復(fù)，不到0.8%的峰峰值電壓，這對(duì)靜態(tài)負(fù)載側(cè)的影響極小，不到0.1%的峰峰值電壓?？梢孕薷拇穗娐芬灾С制渌敵鼋M合，例如0.8 V和1.8 V；由于低頻范圍內(nèi)的超低噪聲、低電壓紋波和超快速瞬態(tài)響應(yīng)，它們都能直接為RFSoC負(fù)載供電，而無(wú)需LDO穩(wěn)壓器級(jí)。

　　在時(shí)分雙工（TDD）模式下，噪聲關(guān)鍵的LO/VCO會(huì)隨著發(fā)射/接收模式的變化而加載和卸載。因此，可以使用圖3所示的簡(jiǎn)化電路，因?yàn)樗胸?fù)載都被視為動(dòng)態(tài)負(fù)載，同時(shí)需要更關(guān)鍵的后置濾波來(lái)保持LO/VCO的低紋波/低噪聲特性。饋通模式下的3端子電容可用于實(shí)現(xiàn)足夠的后置濾波，其最小化的等效L可保持負(fù)載瞬態(tài)的快速帶寬。饋通電容與遠(yuǎn)端輸出電容一起形成另外兩個(gè)LC濾波級(jí)，而所有L都來(lái)自3端子電容的ESL，它非常小，對(duì)負(fù)載瞬態(tài)的危害較小。圖3還展示了Silent Switcher 3系列的簡(jiǎn)單遠(yuǎn)程檢測(cè)連接。由于獨(dú)特的參考生成和反饋技術(shù)，只需將SET引腳電容（C1）的接地和OUTS引腳開(kāi)爾文連接到所需的遠(yuǎn)程反饋點(diǎn)。這種連接不需要電平轉(zhuǎn)換電路。圖4顯示了1 A負(fù)載瞬態(tài)響應(yīng)波形，恢復(fù)時(shí)間小于5 μs，輸出電壓紋波小于1 mV。

　　預(yù)充電信號(hào)驅(qū)動(dòng)Silent Switcher 3系列以實(shí)現(xiàn)快速瞬態(tài)響應(yīng)

　　在某些情況下，信號(hào)處理單元功能強(qiáng)大，具有足夠的GPIO，并且信號(hào)處理安排得當(dāng)，因?yàn)榭梢蕴崆爸浪矐B(tài)事件。這通常發(fā)生在一些FPGA電源設(shè)計(jì)中，其中可以生成預(yù)充電信號(hào)以幫助驅(qū)動(dòng)電源瞬態(tài)響應(yīng)。圖5顯示了一個(gè)典型應(yīng)用電路，其使用FPGA生成的預(yù)充電信號(hào)在實(shí)際負(fù)載轉(zhuǎn)換發(fā)生之前提供偏置，以便LT8625SP有額外的時(shí)間來(lái)適應(yīng)負(fù)載擾動(dòng)，而不會(huì)出現(xiàn)太大的VOUT偏差和恢復(fù)時(shí)間。由于預(yù)充電信號(hào)對(duì)反饋造成干擾，因此省略了從FPGA的GPIO到逆變器輸入的調(diào)諧電路。電平控制為35 mV。此外，為了避免預(yù)充電信號(hào)對(duì)穩(wěn)態(tài)的影響，在預(yù)充電信號(hào)和OUTS之間設(shè)置了一個(gè)高通濾波器。圖6顯示了1.7 A至4.2 A負(fù)載瞬態(tài)響應(yīng)波形。預(yù)充電信號(hào)在實(shí)際負(fù)載瞬態(tài)之前施加到反饋（OUTS），而恢復(fù)時(shí)間小于5 μs。

　　電路主動(dòng)降壓以實(shí)現(xiàn)超快速恢復(fù)瞬態(tài)

　　在波束形成器應(yīng)用中，電源電壓為適應(yīng)不同的功率水平時(shí)刻變化。因此，對(duì)電源電壓的精度要求通常為5%至10%的區(qū)間。在此應(yīng)用中，穩(wěn)定性比電壓精度更重要，因?yàn)樵谪?fù)載瞬態(tài)期間最小化恢復(fù)時(shí)間將最大限度地提高數(shù)據(jù)處理效率。降壓電路非常適合此應(yīng)用，因?yàn)橄陆惦妷嚎蓽p少甚至消除恢復(fù)時(shí)間。如圖7所示LT8627SP的主動(dòng)降壓電路的原理圖。在誤差放大器的負(fù)輸入端（OUTS）和輸出端（VC）之間添加了一個(gè)額外的降壓電阻，以在瞬態(tài)期間保持反饋控制環(huán)路中的穩(wěn)態(tài)誤差。下降電壓可表示為：

圖7.LT8627SP的OUTS和VC之間放置一個(gè)主動(dòng)降壓電阻，以實(shí)現(xiàn)快速瞬態(tài)恢復(fù)時(shí)間

　　ΔVOUT是負(fù)載瞬態(tài)引起的初始電壓變化，ΔIOUT是負(fù)載瞬態(tài)電流，g是用于切換電流增益的VC引腳。設(shè)計(jì)圖7所示的降壓電路時(shí)，需要特別考慮以下幾點(diǎn)：

　　● 下降電流不應(yīng)超過(guò)VC引腳電流限值。對(duì)于LT8627SP的誤差放大器輸出，最好將電流限制在200μA以下以避免飽和，這可以通過(guò)改變R7和R8的值來(lái)實(shí)現(xiàn)。

　　● 下降電壓需要適應(yīng)輸出電容，以便瞬態(tài)期間的電壓偏差與下降電壓大致接近，從而在瞬態(tài)期間實(shí)現(xiàn)最短恢復(fù)時(shí)間。

　　圖8顯示了上述電路在1 A至16 A至1 A負(fù)載瞬態(tài)期間的典型波形。值得注意的是，現(xiàn)在16 A至1 A負(fù)載瞬態(tài)速度不再受帶寬限制，但受穩(wěn)壓器最短導(dǎo)通時(shí)間限制。

　　圖8.可以實(shí)現(xiàn)降壓瞬態(tài)響應(yīng)，以最大限度地縮短LT8627SP的瞬態(tài)恢復(fù)時(shí)間

　　結(jié)論

　　由于高速信號(hào)處理的時(shí)間關(guān)鍵特性，無(wú)線射頻領(lǐng)域變得越來(lái)越依賴(lài)計(jì)算，并且對(duì)瞬態(tài)響應(yīng)時(shí)間敏感。系統(tǒng)設(shè)計(jì)工程師面臨的挑戰(zhàn)是提高電源瞬態(tài)響應(yīng)速度，以使消隱時(shí)間最小化。Silent Switcher 3系列是新一代單片穩(wěn)壓器，針對(duì)無(wú)線、工業(yè)、防務(wù)和醫(yī)療健康領(lǐng)域的噪聲敏感、強(qiáng)動(dòng)態(tài)負(fù)載瞬態(tài)解決方案進(jìn)行了優(yōu)化。根據(jù)負(fù)載條件，可以應(yīng)用特殊技術(shù)和電路來(lái)進(jìn)一步改善瞬態(tài)響應(yīng)。