131 1300 0010
MOS管
當前位置: 首頁>> 元件技術(shù)>>MOS管>>
  • 導航欄目
  • 二極管
  • 整流橋
  • MOS管
  • 其他
  • IRFP460場效應管的技術(shù)參數(shù)
    IRFP460場效應管的技術(shù)參數(shù)
  • IRFP460場效應管的技術(shù)參數(shù)
  •   發(fā)布日期: 2018-09-16  瀏覽次數(shù): 8,582

    IRFP460基本信息:

    FET 型:MOSFET N 通道,金屬氧化物

    開態(tài)Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C:270 毫歐 @ 12A, 10V

    漏極至源極電壓(Vdss):500V

    電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C:20A

    Id 時的 Vgs(th)(最大):4V @ 250µA

    閘電荷(Qg) @ Vgs:210nC @ 10V

    在 Vds 時的輸入電容(Ciss) :4200pF @ 25V

    功率 - 最大:260W

    安裝類型:通孔

    封裝/外殼:TO-247AD
    更多詳細參數(shù)如下:


  • ·上一篇:
    ·下一篇:
  • 其他關(guān)聯(lián)資訊
    深圳市日月辰科技有限公司
    地址:深圳市寶安區(qū)松崗鎮(zhèn)潭頭第二工業(yè)城A區(qū)27棟3樓
    電話:0755-2955 6626
    傳真:0755-2978 1585
    手機:131 1300 0010
    郵箱:hu@szryc.com

    深圳市日月辰科技有限公司 版權(quán)所有:Copyright?2010-2023 xbquwah.cn 電話:13113000010 粵ICP備2021111333號