IR的HEXFET功率場效應管irf3205采用先進的工藝技術制造，具有極低的導通阻抗。irf3205這種特性，加上快速的轉換速率，和以堅固耐用著稱的HEXFET設計，使得irf3205成為極其高效可靠、應用范圍超廣的器件。

基本參數(shù)

電壓 Vgs @ Rds on 測量：10V

電壓， Vds 典型值：55V

電流， Id 連續(xù)：110A

Qg Typ： 97.3 nC

FET極性： N型溝道

最大額定參數(shù)

熱阻特性

電氣特性

1.反復級別：脈寬小于最大值。結點溫度為。（看 圖1）。

2.開始時 TJ=25℃，L=138uH RG=25Ω，IAS=62A.（看圖2）。

3.ISD≤62A，di/dt≤207A/us，VDD≤（BR）DSS，TJ≤℃。

4.脈寬≤400us;duty cycle≤2%. ○

5.適當?shù)倪B續(xù)電流取決于允許結點溫度。包裝極限溫度為75A。

6.在器件毀壞和表現(xiàn)出運行外出點的操作極限的典型值。

7.這個適當?shù)臉O限值為TJ=175℃。 *當裱裝在1″平方PCB（FR-4 or G-1- Material ）。 被推薦的封裝和焊接技術涉及應用技術筆記 #AN-994。

圖1最大有效的熱敏阻抗，結點到器件

圖2最大的雪崩能量Vs 漏極電流