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MOS管
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  • SVF10N80F士蘭微MOS管詳細(xì)參數(shù)
    SVF10N80F士蘭微MOS管詳細(xì)參數(shù)
  • SVF10N80F士蘭微MOS管詳細(xì)參數(shù)
  •   發(fā)布日期: 2021-11-05  瀏覽次數(shù): 1,907

    10A、800V N溝道增強(qiáng)型場(chǎng)效應(yīng)管
    描述
    SVF10N80F/K N 溝道增強(qiáng)型高壓功率 MOS 場(chǎng)效應(yīng)晶體管采用士
    蘭微電子 F-CellTM 平面高壓 VDMOS 工藝技術(shù)制造。先進(jìn)的工藝及元
    胞設(shè)計(jì)結(jié)構(gòu)使得該產(chǎn)品具有較低的導(dǎo)通電阻、優(yōu)越的開(kāi)關(guān)性能及很高的 雪崩擊穿耐量。
    該產(chǎn)品可廣泛應(yīng)用于 AC-DC 開(kāi)關(guān)電源,DC-DC 電源轉(zhuǎn)換器,高 壓 H 橋 PWM 馬達(dá)驅(qū)動(dòng)。
    特點(diǎn)
    ? 10A,800V,RDS(on)(典型值)=0.92?@VGS=10V
    ? 低柵極電荷量
    ? 低反向傳輸電容
    ? 開(kāi)關(guān)速度快
    ? 提升了 dv/dt 能力

    注:
    1. L=30mH,IAS=7.50A,VDD=100V,RG=25?,開(kāi)始溫度TJ=25?C;
    2. VDS=0~400V,ISD<=10A, TJ=25?C;
    3. VDS=0~480V;
    4. 脈沖測(cè)試: 脈沖寬度≤300μs,占空比≤2%;
    5. 基本上不受工作溫度的影響。

    品牌介紹:

    士蘭微始于1997

    杭州士蘭微電子股份有限公司(600460)坐落于杭州高新技術(shù)產(chǎn)業(yè)開(kāi)發(fā)區(qū),是專(zhuān)業(yè)從事集成電路芯片設(shè)計(jì)以及半導(dǎo)體微電子相關(guān)產(chǎn)品生產(chǎn)的高新技術(shù)企業(yè)。公司成立于1997年9月,總部在中國(guó)杭州。2003年3月公司股票在上海證券交易所掛牌交易,是第一家在中國(guó)境內(nèi)上市的集成電路芯片設(shè)計(jì)企業(yè)。得益于中國(guó)電子信息產(chǎn)業(yè)的飛速發(fā)展,士蘭微電子已成為國(guó)內(nèi)規(guī)模最大的集成電路芯片設(shè)計(jì)與制造一體(IDM)的企業(yè)之一,其技術(shù)水平、營(yíng)業(yè)規(guī)模、盈利能力等各項(xiàng)指標(biāo)在國(guó)內(nèi)同行中均名列前茅。

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