P溝道MOS晶體管的空穴遷移率低,因而在MOS晶體管的幾何尺寸和工作電壓絕對(duì)值相等的情況下，PMOS晶體管的跨導(dǎo)小于N溝道MOS晶體管。

P-MOS管的導(dǎo)通調(diào)節(jié)是G極與S極中間的電壓差低于閾值時(shí)，S極和D極導(dǎo)通。

在實(shí)際的使用中，將控制信號(hào)接到G極，S極接在VCC，從而達(dá)到控制P-MOS管的開和關(guān)的效果，在S極和D極導(dǎo)通后，導(dǎo)通電阻Rds(on)極小，一般是幾十毫歐級(jí)，電流流通后，形成的壓降很小。

1、P溝道m(xù)os管作為開關(guān)，柵源的閥值為-0.4V，當(dāng)柵源的電壓差為-0.4V就會(huì)使DS導(dǎo)通，如果S為2.8V，G為1.8V，那么GS=-1V，mos管導(dǎo)通，D為2.8V

如果S為2.8V，G為2.8V，VGSw

那么mos管不導(dǎo)通，D為0V，

所以，如果2.8V連接到S，要mos管導(dǎo)通為系統(tǒng)供電，系統(tǒng)連接到D，利用G控制。

那么和G相連的GPIO高電平要2.8-0.4=2.4V以上，才能使mos管關(guān)斷，低電平使mos管導(dǎo)通。

如果控制G的GPIO的電壓區(qū)域?yàn)?.8V，那么GPIO高電平的時(shí)候?yàn)?.8V，GS為1.8-2.8=-1V，mos管導(dǎo)通，不能夠關(guān)斷。

GPIO為低電平的時(shí)候，假如0.1V，那么GS為0.1-2.8=-2.7V,mos管導(dǎo)通。這種情況下GPIO就不能夠控制mos管的導(dǎo)通和關(guān)閉。

2、P溝道的源極S接輸入，漏極D導(dǎo)通輸出，N溝道相反
通俗的講給箭頭方向相反的電流就是導(dǎo)通，方向相同就是截止。