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100V系列
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    • RY59N10C
    RY59N10C
    RY59N10C
    發(fā)布者：日月辰科技
    規(guī)格型號
    		 RY59N10C
    產(chǎn)品參數(shù)
    		 電壓：100V，電流：59A，Vgs：20V，Rds：0.015Ω
    產(chǎn)品品牌
    		 日月辰
    產(chǎn)品封裝
    		 TO-220
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    詳細說明

    RY59N10C TO-220封裝

    Description
    This N-Channel MOSFET uses advanced trench technology and design to provide excellent RDS(on) with low gate charge. It can be used in a wide variety of applications.
    Features
    1) VDS=100V,ID=59A,RDS(ON)<15mΩ@VGS=10V
    2) Low gate charge.
    3) Green device available.
    4) Advanced high cell denity trench technology for ultra RDS(ON). 
    5) Excellent package for good heat dissipation.

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