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20V系列
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    • RYN20A6S
    RYN20A6S
    RYN20A6S
    發(fā)布者：日月辰科技
    規(guī)格型號(hào)
    		 RYN20A6S
    產(chǎn)品參數(shù)
    		 電壓：20V，電流：6A，Vgs：10V，Rds：0.028Ω
    產(chǎn)品品牌
    		 日月辰
    產(chǎn)品封裝
    		 SOT-23
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    詳細(xì)說明

    RYN20A6S

    Description
    This N-Channel MOSFET uses advanced trench technology and design to provide excellent RDS(on) 
    with low gate charge. It can be used in a wide variety of applications.
    Features
    1) VDS=20V,ID=6A,RDS(ON)<28mΩ@VGS=4.5V. RDS(ON)<35mΩ@VGS=2.5V. 
    2) Low gate charge.
    3) Green device available.
    4) Advanced high cell denity trench technology for ultra RDS(ON).
    5) Excellent package for good heat dissipation.

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