P溝道為空穴流，N溝道為電子流，所以場效應(yīng)三極管也稱為單極性三極管。FET乃是利用輸入電壓(Vgs)來控制輸出電流(Id)的大小。所以場效應(yīng)三極管是屬于電壓控制元件。它有兩種類型，一是結(jié)型（接面型場效應(yīng)管）(JFET)，一是金氧半場效應(yīng)三極管，簡稱MOSFET，MOSFET又可分為增強(qiáng)型與耗盡型兩種。

N溝道，P溝道結(jié)型場效應(yīng)管的D、S是由N(或P)中間是柵極夾持的通道，這個通道大小是受電壓控制的，當(dāng)然就有電流隨柵極電壓變化而變。可以看成柵極是控制電流閥門。

增強(qiáng)型是指：當(dāng)VGS=0時管子是呈截止?fàn)顟B(tài)，加上正確的VGS后，多數(shù)載流子被吸引到柵極，從而“增強(qiáng)”了該區(qū)域的載流子，形成導(dǎo)電溝道。耗盡型則是指，當(dāng)VGS=0時即形成溝道，加上正確的VGS時，能使多數(shù)載流子流出溝道，因而“耗盡”了載流子，使管子轉(zhuǎn)向截止。柵極電壓高低決定電場的變化，進(jìn)而影響載流子的多少，引起通過S、D電流變化。

P溝道MOS晶體管的空穴遷移率低,因而在MOS晶體管的幾何尺寸和工作電壓絕對值相等的情況下，PMOS晶體管的跨導(dǎo)小于N溝道MOS晶體管。

此外，P溝道MOS晶體管閾值電壓的絕對值普通偏高，央求有較高的工作電壓。

p溝道m(xù)os管工作原理

正常工作時，P溝道增強(qiáng)型MOS管的襯底必需與源極相連，而漏心極的電壓Vds應(yīng)為負(fù)值，以保證兩個P區(qū)與襯底之間的PN結(jié)均為反偏，同時為了在襯底頂表面左近構(gòu)成導(dǎo)電溝道，柵極對源極的電壓Vgs也應(yīng)為負(fù)。

1、Ｖds≠Ｏ的情況導(dǎo)電溝道構(gòu)成后，ＤＳ間加負(fù)向電壓時，那么在源極與漏極之間將有漏極電流Ｉd流通，而且Ｉd隨Vds而增加。

Ｉd沿溝道產(chǎn)生的壓降使溝道上各點與柵極間的電壓不再相等，該電壓削弱了柵極中負(fù)電荷電場的作用，使溝道從漏極到源極逐漸變窄。當(dāng)Ｖds增大到使Ｖgd＝Ｖgs（TH），溝道在漏極左近呈現(xiàn)預(yù)夾斷。

2、Vds=0時，在柵源之間加負(fù)電壓Vgs，由于絕緣層的存在，故沒有電流，但是金屬柵極被補(bǔ)充電而聚集負(fù)電荷，Ｎ型半導(dǎo)體中的多子電子被負(fù)電荷排斥向體內(nèi)運動，表面留下帶正電的離子，構(gòu)成耗盡層，隨著Ｇ、Ｓ間負(fù)電壓的增加，耗盡層加寬。

當(dāng)Vgs增大到一定值時，襯底中的空穴（少子）被柵極中的負(fù)電荷吸收到表面，在耗盡層和絕緣層之間構(gòu)成一個Ｐ型薄層，稱反型層。

這個反型層就構(gòu)成漏源之間的導(dǎo)電溝道，這時的Ｖgs稱為開啟電壓Vgs（th），Vgs到Vgs（th）后再增加，襯底表面感應(yīng)的空穴越多，反型層加寬，而耗盡層的寬度卻不再變化，這樣可以用Vgs的大小控制導(dǎo)電溝道的寬度。

PMOS的Vgs小于一定的值就會導(dǎo)通，適合用于源極接VCC時的情況（高端驅(qū)動）。需要注意的是，Vgs指的是柵極G與源極S的電壓，即柵極低于電源一定電壓就導(dǎo)通，并非相對于地的電壓。

但是因為PMOS導(dǎo)通內(nèi)阻比較大，所以只適用低功率的情況。不過，大功率仍然使用N溝道MOS管。