快恢復(fù)二極管主要用作續(xù)流二極管，與快速開關(guān)三極管并聯(lián)后面帶感性負(fù)載，如Buck，Boost變換器的電感、變壓器和電機(jī)，這些電路大部分是用恒脈脈寬調(diào)制控制，感性負(fù)載決定了流過續(xù)流二極管的電流是連續(xù)的，三極管開通時(shí)，續(xù)流支路要截止以防短路，下面例子給出了三極管與續(xù)流二極管的相互作用。

  圖1是簡化的Buck電路。其輸出電壓V_out低于輸入電壓Vin。圖2是T₁的控制信號(hào)和T₁，D₁的電壓、電流波形。有源器件T₁，D₁的開通關(guān)斷相位如下：

  T₀時(shí)刻T₁有開通信號(hào)。輸入電壓V_in加在L，C_out的串聯(lián)支路，使i_L線性增加。電感L和V_out決定電流，過一段時(shí)間后控制器使T₁關(guān)斷，在斷續(xù)工作時(shí)，電感L儲(chǔ)能(W=0.5Li_L2)通過續(xù)流支路傳送到C_out。

  在t₂時(shí)刻T₁再次開通，整個(gè)過程重復(fù)。

  二極管的開關(guān)過程可分為四部分:

  A.T₁導(dǎo)通時(shí)二極管阻斷;

  B.阻斷到導(dǎo)通時(shí)間；開通；

  C.T₁關(guān)斷，二極管導(dǎo)通；

  D.導(dǎo)通到關(guān)斷瞬間；關(guān)斷。

圖1 Buck變換器電路圖	圖2 T1的控制信號(hào)和T1，D1的電壓、電流波形

 

  A. 阻斷

  MOFET導(dǎo)通時(shí)，二極管兩端的反壓是V_in。與所有的半導(dǎo)體一樣，二極管的陽極到陰極有一個(gè)小電流(耐電流I_R)，漏電流由阻斷電壓，二極管芯片工作溫度和二極管制作技術(shù)決定。反向電壓導(dǎo)致的總功率損耗是：

 

  B. 開通

  三極管T₁關(guān)斷瞬間，電感電流i_L保持不變。二極管兩端電壓逐漸減小，電流逐漸上升。D₁的電流上升時(shí)間等于T₁的電流下降時(shí)間。關(guān)斷時(shí)在pn結(jié)存儲(chǔ)的大量電荷被載流子帶走，使得電流上升時(shí)pn結(jié)的電阻減小，二極管開通時(shí)有電壓尖峰，由芯片溫度、-di_F/dt和芯片工藝決定。

  正向電壓尖峰與反向電壓相比很小(<50V)，應(yīng)用時(shí)不影響二極管的工作(圖7中的D₁波形)。但是二極管的開通電壓尖峰增加了三極管的電壓應(yīng)力和關(guān)斷損耗。

  電壓尖峰V_FR決定了二極管的開通捌耗。這些損耗隨開關(guān)頻率線性增加。

 

  C. 通態(tài)

  一且開通過程結(jié)束。二極管導(dǎo)通正向電流l_F，pn結(jié)的門限電壓和半導(dǎo)體的電阻決定正向壓降V_F。這個(gè)電壓由芯片溫度、正向電流I_F和制造工藝決定。

  利用數(shù)據(jù)手冊中的V_TO和r_T可以計(jì)算正向壓降和通態(tài)損耗。

  圖3所示正向壓降的簡化模型是：

相應(yīng)的通態(tài)損耗是：

 

  計(jì)算出來的損耗只是近似值，因?yàn)閂_TO和r_T隨溫度變化，而給出的只是在一定溫度下(T_VJM的參考值。

 

 

  D. 關(guān)斷

  與通態(tài)特性不同，高頻應(yīng)用時(shí)二極管的選擇是否合適主要取決于關(guān)斷特性的參數(shù)，三極管開通時(shí)，電流I_F的變化率等于三極管電流上升率di/dt。如果使用MOSFET或IGBT，其-d_iF/dt很容易超過1000A/μs。前面提到，二極管恢復(fù)阻斷能力前必須去除通態(tài)時(shí)存儲(chǔ)在pn結(jié)的載流子。這就會(huì)產(chǎn)生反向恢復(fù)電流，其波形取決于芯片溫度、正向電流I_F，-d_iF/dt和制造工藝。

  圖4是正向特性相同的金摻雜和鉑摻雜外延型二極管不同溫度下的反向恢復(fù)電流。

圖4 在TVJ=25℃和125℃時(shí)兩FRED二極管的反向恢復(fù)電流和電壓

 

  相同溫度下不同制造工藝的二極管的反向恢復(fù)特性明顯不同。

  鉑摻雜二極管反向恢復(fù)電流的減小速度很快(圖5(b))，可控少數(shù)載流子的金摻雜二極管的恢復(fù)特性較軟(圖5(a))。

  恢復(fù)電流減小得很快，線路中分布電感導(dǎo)致的電壓尖峰越高。如果最大電壓超過三極管的耐壓值，就必須使用吸收電路以保障設(shè)備的安全工作。而且過高的du/dt會(huì)導(dǎo)致EMI/RFI問題，在RFI受限的地方要使用復(fù)雜的屏蔽。

圖5 在TJ=125℃時(shí)不同-diF/dt的反向恢復(fù)電流

 

  二極管的反向恢復(fù)電流不僅會(huì)增加二極管的關(guān)斷損耗。還會(huì)增加三極管的開通損耗，因?yàn)樗彩嵌O管的反向電流。圖6(a)和(b)表明三極管開通電流是電感電流加上二極管的反向恢復(fù)電流，而且開通時(shí)間受trr影響會(huì)增大。

  圖6(a)和(b)重點(diǎn)說明軟恢復(fù)特性時(shí)低恢復(fù)電流的好處。首先，軟恢復(fù)特性的金摻雜二極管的電壓尖峰較小和反向恢復(fù)電流較小。因此二極管有低關(guān)斷損耗。其次，低反向恢復(fù)電流可減小三極管的開通損耗。因此，二極管的選擇直接決定了兩個(gè)器件的功率損耗。

圖6 表示反向恢復(fù)電流影響的三極管的電流和電壓波形