不言而喻,PC電路板的布局設(shè)計(jì)決定了每一種電源設(shè)計(jì)的成敗。它決定了一個(gè)電源的功能、電磁干擾(EMI)和熱行為。雖然開(kāi)關(guān)電源布局不是黑魔法,但在設(shè)計(jì)過(guò)程中會(huì)經(jīng)常被忽視,最終發(fā)現(xiàn)其至關(guān)重要卻為時(shí)已晚。因此需要一種行之有效的方法,從一開(kāi)始就削弱這些潛在的EMI威脅,方能確保電源安靜而穩(wěn)定。雖然許多開(kāi)關(guān)模式電源設(shè)計(jì)人員都很清楚開(kāi)關(guān)模式電源的設(shè)計(jì)復(fù)雜性和細(xì)微差別,但很多公司根本沒(méi)有足夠的設(shè)計(jì)人員滿(mǎn)足所有項(xiàng)目需求完成設(shè)計(jì)。不少設(shè)計(jì)人員將退休并離開(kāi)此行業(yè)!那么,如何解決這個(gè)問(wèn)題呢?
首先,就是因?yàn)槟M電源設(shè)計(jì)人員不足,所以要求越來(lái)越多的數(shù)字設(shè)計(jì)人員進(jìn)行開(kāi)關(guān)模式電源設(shè)計(jì)!雖然大多數(shù)數(shù)字設(shè)計(jì)人員都知道如何使用簡(jiǎn)單的線性穩(wěn)壓器,但并非所有設(shè)計(jì)都要求降壓(降壓模式)。事實(shí)上,很多是升壓模式(升壓),甚至是降壓-升壓拓?fù)洌ń祲汉蜕龎耗J较嘟Y(jié)合)。
顯然,許多電子系統(tǒng)制造商都面臨一個(gè)問(wèn)題:如何實(shí)現(xiàn)系統(tǒng)所需的所有開(kāi)關(guān)模式電源電路?
在本文中,我將介紹降壓穩(wěn)壓器工作的一些基本原理,包括開(kāi)關(guān)穩(wěn)壓器熱回路中的高di/dt和寄生電感如何導(dǎo)致電磁噪聲和開(kāi)關(guān)振鈴。然后我們將看看如何減少高頻噪聲。我還將介紹ADI的Power by Linear™ Silent Switcher®技術(shù),包括它如何構(gòu)成,并演示它如何幫助解決EMI問(wèn)題,且絲毫不會(huì)影響性能。其中還包括Silent Switcher器件如何工作。
我還將概述Silent Switcher的封裝和布局,討論這些封裝和布局如何提高降壓轉(zhuǎn)換器的整體性能。此外,我將演示如何將此技術(shù)融入我們的μModule®穩(wěn)壓器,從而提高Silent Switcher器件的集成度。對(duì)于不熟悉開(kāi)關(guān)模式電源設(shè)計(jì)技術(shù)的設(shè)計(jì)人員,這些簡(jiǎn)單易用的解決方案會(huì)很有用。
最基本的電源拓?fù)渲皇墙祲悍€(wěn)壓器,如圖1所示。EMI從高di/dt回路開(kāi)始。供電線和負(fù)載線不應(yīng)具有高交流電流分量。因此,輸入電容C2應(yīng)將所有相關(guān)電流的交流分量傳輸至輸出電容C1,所有電流交流分量在這里結(jié)束。
圖1.同步降壓穩(wěn)壓器原理圖。
參考圖1,在M1關(guān)閉而M2打開(kāi)的開(kāi)啟周期中,交流電流在實(shí)線藍(lán)色回路中流動(dòng)。在關(guān)閉周期中,當(dāng)M1打開(kāi)而M2關(guān)閉時(shí),交流電流在綠色虛線回路中流動(dòng)。大多數(shù)人難以理解,產(chǎn)生最高EMI的回路既不是實(shí)線藍(lán)色回路,也不是虛線綠色回路。而是虛線紅色回路中流動(dòng)的全開(kāi)關(guān)交流電流,從零切換至I峰值,再回到零。虛線紅色回路通常指熱回路,因?yàn)樗凶罡呓涣麟娏骱虴MI能量。
導(dǎo)致電磁噪聲和開(kāi)關(guān)振鈴的是開(kāi)關(guān)穩(wěn)壓器熱回路中的高di/dt和寄生電感。要減少EMI并改進(jìn)功能,需要盡量減少虛線紅色回路的輻射效應(yīng)。如果我們能夠?qū)⑻摼€紅色回路的PC電路板面積減少到零,并且能夠買(mǎi)到具有零阻抗的理想電容,就能解決這個(gè)問(wèn)題。然而,在現(xiàn)實(shí)世界中,設(shè)計(jì)工程師所能做的就是找到一個(gè)最佳的折中方案!
那么,這些高頻噪聲到底是從哪里來(lái)的呢?在電子電路中,通過(guò)寄生電阻、電感和電容耦合,在開(kāi)關(guān)轉(zhuǎn)換過(guò)程中,產(chǎn)生了高頻諧波。知道是哪里產(chǎn)生噪聲,那么如何減少高頻開(kāi)關(guān)噪聲呢?減少噪聲的傳統(tǒng)方式是減慢MOSFET開(kāi)關(guān)邊緣。通過(guò)減慢內(nèi)部開(kāi)關(guān)驅(qū)動(dòng)器或從外部添加緩沖器,就可以實(shí)現(xiàn)。
圖2.如何將LT8610轉(zhuǎn)換為Silent Switcher器件——LT8614。
但是,這會(huì)降低轉(zhuǎn)換器的效率,因?yàn)樵黾恿碎_(kāi)關(guān)損耗——特別是當(dāng)開(kāi)關(guān)穩(wěn)壓器在高開(kāi)關(guān)頻率(如2 MHz)下運(yùn)行時(shí)。說(shuō)到這里,我們?yōu)楹我? MHz的頻率下運(yùn)行呢?實(shí)際上有幾個(gè)原因:
?它允許使用較?。ǔ叽纾┑耐獠吭?,如電容和電感。例如,每次開(kāi)關(guān)頻率加倍,會(huì)使電感值和輸出電容值減半。
?在汽車(chē)應(yīng)用中,在2 MHz下開(kāi)關(guān)可以避免在AM頻段產(chǎn)生噪聲。
減小輻射,也可使用濾波器和屏蔽,但這需要更多的外部元件和電路板面積。還可采用展頻(SSFM)技術(shù),但這樣在已知范圍內(nèi)會(huì)使系統(tǒng)時(shí)鐘抖動(dòng)。SSFM有助于滿(mǎn)足EMI標(biāo)準(zhǔn)要求。EMI能量被打散分布在頻域上。雖然普通開(kāi)關(guān)電源所選的開(kāi)關(guān)頻率通常會(huì)在AM頻段之外(530 kHz至1.8 MHz),但在AM頻段內(nèi),未經(jīng)調(diào)制的開(kāi)關(guān)諧波仍可能不符合嚴(yán)格的汽車(chē)EMI要求。添加SSFM功能可明顯減少AM頻段內(nèi)及其他區(qū)域中的EMI。
或者就使用ADI的Silent Switcher技術(shù),該技術(shù)能夠滿(mǎn)足上述所有要求:
?高效率
?高開(kāi)關(guān)頻率
?低電磁輻射(EMI)
Silent Switcher技術(shù)
Silent Switcher器件無(wú)需減慢開(kāi)關(guān)邊緣速率,解決了EMI和效率之間的權(quán)衡問(wèn)題。那么如何才能實(shí)現(xiàn)呢?考慮使用LT8610,如圖2左側(cè)所示。這是支持42 V輸入的單片(內(nèi)部有FET)同步降壓轉(zhuǎn)換器,可提供高達(dá)2.5 A的輸出電流。請(qǐng)注意,其左上角有一個(gè)輸入引腳(VIN)。
但是,將LT8610與LT8614(支持42 V輸入的單片同步降壓轉(zhuǎn)換器,可提供高達(dá)4 A的輸出電流)相比,我們可以看到,LT8614在封裝的另一側(cè)有兩個(gè)VIN引腳和兩個(gè)接地引腳。這很重要,因?yàn)樗菍?shí)現(xiàn)超低噪聲開(kāi)關(guān)的一部分!
如何實(shí)現(xiàn)這個(gè)目標(biāo)?在芯片另一側(cè)的VIN和接地引腳之間放置兩個(gè)輸入電容可消除磁場(chǎng)。幻燈片中突出顯示了這一點(diǎn),在原理圖和演示板上均用紅色箭頭指向電容的位置,如圖3所示。
圖3.LT8614圖,顯示濾波器電容安置在IC另一側(cè)的VIN和接地引腳之間。
LT8614詳情
LT8614包含Silent Switcher功能。利用該功能,我們通過(guò)使用銅柱倒裝芯片封裝能夠減少寄生電感。此外,還有反向VIN、接地和輸入電容,可消除磁場(chǎng)(適用右手法則)以降低EMI輻射。
由于不需要使用焊線鍵合式裝配技術(shù)所要求的長(zhǎng)鍵合線,不會(huì)產(chǎn)生大的寄生電阻和電感,從而可減小封裝寄生電感。兩個(gè)對(duì)稱(chēng)分布的輸入熱回路產(chǎn)生的反向磁場(chǎng)相互抵消,并且電回路沒(méi)有凈磁場(chǎng)。
我們將LT8614 Silent Switcher穩(wěn)壓器與當(dāng)前先進(jìn)的開(kāi)關(guān)穩(wěn)壓器LT8610進(jìn)行比較。在GTEM室中,對(duì)兩個(gè)器件的標(biāo)準(zhǔn)演示板使用相同負(fù)載、相同輸入電壓和相同電感進(jìn)行了測(cè)試。我們發(fā)現(xiàn),與使用LT8610具有很不錯(cuò)的EMI性能相比,使用LT8614時(shí)還能提高20 dB,特別是在管理更高頻率更困難的區(qū)域。在整體設(shè)計(jì)中,與其他敏感系統(tǒng)相比,LT8614開(kāi)關(guān)電源需要的濾波更少、距離更短,從而可以實(shí)現(xiàn)更簡(jiǎn)單緊湊的設(shè)計(jì)。此外,在時(shí)域內(nèi),LT8614在開(kāi)關(guān)節(jié)點(diǎn)邊緣的性能良好。
圖4.LT8614輻射EMI性能可滿(mǎn)足最嚴(yán)格的CISPR 25 Class 5限制要求。
盡管LT8614具有出色的性能,但我們并沒(méi)有停止改進(jìn)的步伐。于是,LT8640降壓穩(wěn)壓器采用Silent Switcher架構(gòu),旨在最大限度地減少EMI/EMC輻射,同時(shí)在高達(dá)3 MHz的頻率下提供高效率。它采用3 mm × 4 mm QFN封裝,采用集成電源單片式結(jié)構(gòu),同時(shí)提供所有必需的電路功能,共同構(gòu)成PCB占用空間最小的解決方案。瞬變態(tài)響應(yīng)性能仍然很出色,任何負(fù)載(從零電流到滿(mǎn)電流)時(shí)的輸出電壓紋波低于10 mV p-pat。LT8640允許在高頻率下進(jìn)行高VIN到低VOUT轉(zhuǎn)換,最短開(kāi)關(guān)導(dǎo)通時(shí)間為30 ns。
為改進(jìn)EMI/EMC,LT8640可工作在展頻模式。該功能以20%的三角調(diào)頻調(diào)整時(shí)鐘。當(dāng)LT8640處于展頻調(diào)制模式時(shí),使用三角調(diào)頻功能在RT設(shè)定值與約高于該值20%之間調(diào)整開(kāi)關(guān)頻率。調(diào)制頻率約為3 kHz。例如,當(dāng)LT8640設(shè)為2 MHz時(shí),3 kHz速率下的頻率將從2 MHz至2.4 MHz不等。選擇展頻工作模式時(shí),突發(fā)模式(Burst Mode®)操作會(huì)禁用,器件將在脈沖跳躍模式或強(qiáng)制連續(xù)模式下運(yùn)行。
然而,盡管我們?cè)赟ilent Switcher數(shù)據(jù)手冊(cè)中都有說(shuō)明,如提供了原理圖和布局建議,以及將輸入電容放在盡可能靠近IC兩側(cè)的位置——有一些客戶(hù)仍然會(huì)出錯(cuò)。此外,我們的內(nèi)部工程師也花了太多的時(shí)間來(lái)解決客戶(hù)的PCB布局問(wèn)題。因此,我們的設(shè)計(jì)人員提出了解決此問(wèn)題的最佳解決方案——Silent Switcher 2架構(gòu)。
采用Silent Switcher 2技術(shù),我們只需將電容集成在新LQFN封裝內(nèi):VIN電容、IntVCC和升壓電容——盡可能靠近引腳放置。優(yōu)勢(shì)是將所有熱回路和接地層都包括在內(nèi),從而降低了EMI。外部元件越少,解決方案尺寸就越小。此外,我們還消除了PCB布局敏感性。
如圖5所示,可以看出LT8640和LT8640S的原理圖有何不同。而營(yíng)銷(xiāo)突破口是為包含內(nèi)部電容的集成度更高的新版本冠以“S”的后綴。因?yàn)樗鹊谝淮?ldquo;安靜”!
圖5.LT8640S是一款具有更高的電容集成度的Silent Switcher 2器件。
Silent Switcher 2技術(shù)提高了散熱性能。LQFN倒裝芯片封裝上的多個(gè)大尺寸接地裸露焊盤(pán)有助于封裝和PCB散熱。由于我們消除了高電阻鍵合線,因此還提高了轉(zhuǎn)換效率。LT8640S的EMI性能輕松滿(mǎn)足輻射EMI性能CISPR 25 Class 5峰值限制要求并且有較大的裕量。
下一步:所有組件都與Silent Switcher 2 μModule穩(wěn)壓器集成
Silent Switcher技術(shù)如此引人注目,我們選擇將其融入我們的μModule穩(wěn)壓器產(chǎn)品線。所有組件都集成在一個(gè)小尺寸封裝中,為用戶(hù)提供了一個(gè)簡(jiǎn)單可靠、高性能和高電源密度的解決方案。 LTM8053和LTM8073是幾乎集成了所有組件的微型模塊穩(wěn)壓器,只有少量電容和電阻接在外部。
圖6.LTM8053 Silent Switcher 2 μModule。
總結(jié)
綜上所述,Silent Switcher功能和優(yōu)勢(shì)將使您的開(kāi)關(guān)模式電源設(shè)計(jì)更容易滿(mǎn)足CISPR 32和CISPR 25等各種抗噪標(biāo)準(zhǔn)要求。它們能夠輕松有效地做到這一點(diǎn)是由于以下特性:
?能夠在大于2 MHz開(kāi)關(guān)頻率下進(jìn)行高效轉(zhuǎn)換,并且對(duì)轉(zhuǎn)換效率的影響最小。
?內(nèi)部旁路電容減少EMI輻射并提供更緊湊的解決方案占板空間。
?采用Silent Switcher 2技術(shù)基本上消除了PCB布局的敏感性。
?可選展頻調(diào)制有助于降低噪聲敏感度。
?使用Silent Switcher器件既可節(jié)省PCB面積,又可減少所需的層數(shù)。
Tony Armstrong
Tony Armstrong [tony.armstrong@analog.com]目前是ADI公司Power by Linear產(chǎn)品部的產(chǎn)品營(yíng)銷(xiāo)總監(jiān)。他負(fù)責(zé)電源轉(zhuǎn)換和管理產(chǎn)品從上市到停產(chǎn)的所有事務(wù)。加入ADI之前,Tony在Linear Technology、Siliconix Inc.、Semtech Corp.、FairchildSemiconductors和Intel擔(dān)任過(guò)營(yíng)銷(xiāo)、銷(xiāo)售和運(yùn)營(yíng)方面的不同職位。他畢業(yè)于英格蘭曼徹斯特大學(xué),獲得應(yīng)用數(shù)學(xué)(榮譽(yù))學(xué)士學(xué)位。