本文介紹了微機電系統(tǒng)(MEMS)加速度計的多項特性，它們使得該技術對狀態(tài)監(jiān)控應用極具吸引力。本文通過回顧一些數據來說明MEMS技術的發(fā)展狀況及性能水平，并將其與商用壓電(PZT)狀態(tài)監(jiān)控加速度計進行比較。

對MEMS工藝技術的投資加上設計創(chuàng)新，已大大改善MEMS性能，使得MEMS足以成為更廣泛狀態(tài)監(jiān)控應用的可行選擇。采用專門化MEMS結構和工藝技術，現在已實現諧振頻率高達50 kHz、噪聲密度低至25 g/Hz的加速度計。通過精心設計的信號調理電子電路，可以充分發(fā)揮此類新型加速度計的低噪聲優(yōu)勢。

圖1. 新型高頻加速度計的噪聲譜密度圖

性能和比較數據

為了評估最新MEMS加速度計是否適合狀態(tài)監(jiān)控應用，我們對其和一款商用PZT型狀態(tài)監(jiān)控加速度計進行了對照測量。為確保這兩種傳感器具有相似的質量并受到相同激勵信號作用，我們將MEMS傳感器粘附于PZT傳感器的外殼。與PZT傳感器一樣，MEMS加速度計的單電源模擬輸出直接輸入到同一數據記錄儀的模擬輸入通道。一個數據采集儀(DAQ)用作這些實驗的采集系統(tǒng)。

電機未對準仿真

在振動測試儀上重建了一個實際場景，例如在基于振動的狀態(tài)監(jiān)控中所述的場景，以便利用已知激勵信號比較器件。本例展示了一臺以5100 rpm (85 Hz)運轉的汽輪機和一臺未對準的3000 rpm (50 Hz)同步發(fā)電機的振動水平。該場景說明的是采用隨機振動測試模式時，振動系統(tǒng)經編程所產生的頻率和振幅。表1列出了兩個器件在目標頻率的振幅測量結果。

表1. 電機未對準仿真設定點

圖2顯示了21 kHz諧振頻率的MEMS加速度計和25 kHz諧振頻率的PZT傳感器的頻譜測量結果。MEMS加速度計在1 Hz至1 kHz頻段中的均方根(rms)輸出要比PZT加速度計高出大約30 mg或1.7%。

圖2. PZT加速度計（上）和MEMS加速度計（下）的噪聲密度譜；在高達10 kHz時，結果幾乎相同；主要差別在MEMS加速度計的低頻響應。

不同于PZT器件，MEMS器件具有低頻響應性能（可測量0.1 Hz時的1/f）；對于風輪機等超低頻率機器，需要關注此點（它還支持更快速地從飽和狀態(tài)恢復）。振動激勵系統(tǒng)的頻率響應會在超低頻率時滾降，故通過"敲擊"試驗裝置來測試兩個器件的響應，并且捕捉響應結果。記錄的時域測量結果隨后被轉換到頻域。結果如圖3所示。注意，MEMS加速度計能夠記錄低至DC的響應。

圖3. 敲擊時兩個加速度計的響應比較

結語

相比于PZT傳感器，用模擬輸出直接驅動DAQ的MEMS傳感器實現了很好的結果。這表明，MEMS加速度計是輸出通道重新建構的新型狀態(tài)監(jiān)控產品的合適候選器件，尤其是它支持實現基于半導體器件（采用+5 V單電源供電）的全新概念，例如無線智能傳感器。

表面上，第一代加速度計具有高頻響應性能(22 kHz)和±70g、±250g、±500g的寬滿量程范圍(FSR)，似乎對此類應用有吸引力。遺憾的是，其噪聲水平高達4 mg/Hz，這是大多數狀態(tài)監(jiān)控應用不能接受的。比較測試中使用的是第二代器件，其噪聲比第一代器件降低了兩個數量級，而功耗降至第一代的40%。表2總結了兩代MEMS加速度計的性能比較結果，并突出顯示了性能改進。

表2. 第一代和第二代MEMS加速度計針對狀態(tài)監(jiān)控的關鍵規(guī)格比較

電氣信號調理經驗和高分辨率MEMS加速度計發(fā)展的結合，促成MEMS加速度計的性能達到狀態(tài)監(jiān)控應用的要求。低物理噪聲水平的高頻加速度計，配上高性能、低噪聲、高穩(wěn)定性的信號處理設計技術，克服了以前妨礙MEMS提供與PZT狀態(tài)監(jiān)控傳感器相比擬的性能的根本限制。