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  • 如何應(yīng)對對更高功率密度的需求 創(chuàng)新電動工具解
    如何應(yīng)對對更高功率密度的需求 創(chuàng)新電動工具解
  • 如何應(yīng)對對更高功率密度的需求 創(chuàng)新電動工具解
  •   發(fā)布日期: 2019-05-09  瀏覽次數(shù): 1,465

    電動工具中直流電機(jī)的配置已從有刷直流大幅轉(zhuǎn)向更可靠、更高效的無刷直流(BLDC)解決方案轉(zhuǎn)變。斬波器配置等典型有刷直流拓?fù)渫ǔ8鶕?jù)雙向開關(guān)的使用與否實(shí)現(xiàn)一個或兩個功率金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管Mosfet)。另一方面,三相BLDC配置需要三個半橋或至少六個場效應(yīng)管(FET),因此從有刷電流轉(zhuǎn)向無刷電流意味著全球電動工具FET總區(qū)域市場增長了3到6倍(見圖1)。

    如何應(yīng)對對更高功率密度的需求 創(chuàng)新電動工具解決方案

     

    圖1:從有刷拓?fù)滢D(zhuǎn)換到無刷拓?fù)?/p>

    意味著FET數(shù)量出現(xiàn)了6倍倍增

    但BLDC設(shè)計(jì)在這些FET上提出了新的技術(shù)要求。例如,若電路板上FET的數(shù)量6倍倍增也意味著驅(qū)動電機(jī)所需的印刷電路板pcb)占用面積增加了6倍,那么BLDC設(shè)計(jì)不大可能仍適用于電動工具和園藝工具制造商。電力電子設(shè)備通常位于這些工具的手柄中;因此,為適應(yīng)最小的手部尺寸,應(yīng)用通常受空間限制的影響極大(參見圖2)。市場需要功率密度更高的解決方案,換言之,就是需要在狹窄空間中處理更多電流的FET。

    如何應(yīng)對對更高功率密度的需求 創(chuàng)新電動工具解決方案

    圖2:在大多數(shù)電動工具中,電子設(shè)備都位于手柄中

    傳統(tǒng)意義上講,適用于驅(qū)動大功率電機(jī)的FET其封裝又大又重,如TO-220、DPAK和D2PAK。但像ti的小型無引線封裝(SON)5mm×6mm FET這類最新方形扁平無引線(QFN)封裝可在硅片和源極管腳之間提供更小的封裝電阻。單位面積的電阻較小意味著單位面積的傳導(dǎo)損耗較少,也意味著電流能力和功率密度更高。因此,隨著FET硅單位面積的電阻(rsP)繼續(xù)降低(大致相當(dāng)于過去每代產(chǎn)品的一半),電動工具、園藝工具和家用電器行業(yè)的QFN解決方案出現(xiàn)快速增長也就不足為奇了。這些較小的FET現(xiàn)在通常能夠驅(qū)動高達(dá)30A或更高的直流電機(jī)電流;即使對于功率更高的設(shè)計(jì),并行采用多個QFN有時更適用于更大的封裝。畢竟,兩個5mm×6mm的器件在60mm²的總PCB面積中仍只相當(dāng)于占用一個D2PAK的一小部分尺寸,D2PAK在總PCB空間上約為10mm×15mm,即150mm²(見圖3)。

    如何應(yīng)對對更高功率密度的需求 創(chuàng)新電動工具解決方案

    圖3:半橋所需的PCB空間(未按比例畫出)

    TI最近通過將兩個FET縱向集成到單一封裝中,將這一趨勢歸結(jié)為邏輯結(jié)論,在一個SON 5mm×6mm的功率模塊中提供整個半橋。40V CSD88584Q5DC和 60V CSD88599Q5DC采用與德州儀器低電壓功率模塊相同的堆疊裸片技術(shù),用于高頻電源應(yīng)用,同時采用了優(yōu)化的硅片,以減少大電流電機(jī)驅(qū)動應(yīng)用的傳導(dǎo)損耗。除減小在PCB上并排兩個FET所帶來的寄生電感外,縱向集成兩個FET可在同一封裝中容納更多的硅,從而實(shí)現(xiàn)比分立QFN器件更高的功率密度。

    這些器件還具有帶裸露金屬頂部的耐熱增強(qiáng)型DualCool™封裝。因此,盡管仍存在一些情況,使得電動工具制造商可能更傾向于使用TO-220 FET來表面貼裝FET,因?yàn)檫@些FET可安裝在大型散熱器上以將熱量從PCB排出,但是這些功率模塊采用QFN封裝提供了同樣的好處。例如,即使在最理想的熱環(huán)境中,通常也不鼓勵在典型的5mm×6mm的QFN中耗散3W以上的功率。但是通過適當(dāng)?shù)厥褂蒙崞?,這些DualCool器件可以應(yīng)對6W或更多的功耗,功率密度翻了一倍,而PCB占用面積減少了一半。

    如今,在電動工具、園林工具及電池供電的家用電器中推出更受歡迎的BLDC電機(jī)時,功率密度就成為最重要的因素。TI新型功率模塊解決方案可在前所未有的水平上實(shí)現(xiàn)這一目標(biāo)。


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