場效應(yīng)管與晶體三極管的比較　　

場效應(yīng)管是電壓控制元件,而晶體管是電流控制元件.在只允許從信號源取較少電流的情況下,應(yīng)選用場效應(yīng)管;而在信號電壓較低,又允許從信號源取較多電流的條件下,應(yīng)選用晶體管.

　　晶體三極管與場效應(yīng)管工作原理完全不同，但是各極可以近似對應(yīng)以便于理解和設(shè)計：

　　晶體管： 基極 發(fā)射極 集電極

　　場效應(yīng)管 ： 柵極 源極 漏極

　　要注意的是，晶體管(NPN型)設(shè)計發(fā)射極電位比基極電位低(約0.6V)，場效應(yīng)管源極電位比柵極電位高（約0.4V)。

　　場效應(yīng)管是利用多數(shù)載流子導(dǎo)電,所以稱之為單極型器件,而晶體管是即有多數(shù)載流子,也利用少數(shù)載流子導(dǎo)電,被稱之為雙極型器件.

　　有些場效應(yīng)管的源極和漏極可以互換使用,柵壓也可正可負(fù),靈活性比晶體管好.

　　場效應(yīng)管能在很小電流和很低電壓的條件下工作,而且它的制造工藝可以很方便地把很多場效應(yīng)管集成在一塊硅片上,因此場效應(yīng)管在大規(guī)模集成電路中得到了廣泛的應(yīng)用.

　　一、場效應(yīng)管的結(jié)構(gòu)原理及特性 場效應(yīng)管有結(jié)型和絕緣柵兩種結(jié)構(gòu)，每種結(jié)構(gòu)又有N溝道和P溝道兩種導(dǎo)電溝道。

　　1、結(jié)型場效應(yīng)管（JFET）

　?。?）結(jié)構(gòu)原理 它的結(jié)構(gòu)及符號見圖1。在N型硅棒兩端引出漏極D和源極S兩個電極，又在硅棒的兩側(cè)各做一個P區(qū)，形成兩個PN結(jié)。在P區(qū)引出電極并連接起來，稱為柵極Go這樣就構(gòu)成了N型溝道的場效應(yīng)管 

　　圖1、N溝道結(jié)構(gòu)型場效應(yīng)管的結(jié)構(gòu)及符號

　　由于PN結(jié)中的載流子已經(jīng)耗盡，故PN基本上是不導(dǎo)電的，形成了所謂耗盡區(qū)，從圖1中可見，當(dāng)漏極電源電壓ED一定時，如果柵極電壓越負(fù)，PN結(jié)交界面所形成的耗盡區(qū)就越厚，則漏、源極之間導(dǎo)電的溝道越窄，漏極電流ID就愈??；反之，如果柵極電壓沒有那么負(fù)，則溝道變寬，ID變大，所以用柵極電壓EG可以控制漏極電流ID的變化，就是說，場效應(yīng)管是電壓控制元件。

　?。?）特性曲線

　　1）轉(zhuǎn)移特性

　　圖2（a）給出了N溝道結(jié)型場效應(yīng)管的柵壓---漏流特性曲線，稱為轉(zhuǎn)移特性曲線，它和電子管的動態(tài)特性曲線非常相似，當(dāng)柵極電壓VGS=0時的漏源電流。用IDSS表示。VGS變負(fù)時，ID逐漸減小。ID接近于零的柵極電壓稱為夾斷電壓，用VP表示，在0≥VGS≥VP的區(qū)段內(nèi)，ID與VGS的關(guān)系可近似表示為：

　　ID=IDSS（1-|VGS/VP|）

　　其跨導(dǎo)gm為：gm=（△ID/△VGS）|VDS=常微（微歐）|

　　式中：△ID------漏極電流增量（微安）

　　------△VGS-----柵源電壓增量（伏）

　　圖2、結(jié)型場效應(yīng)管特性曲線

　　2）漏極特性（輸出特性）

　　圖2(b)給出了場效應(yīng)管的漏極特性曲線，它和晶體三極管的輸出特性曲線 很相似。

　?、倏勺冸娮鑵^(qū)（圖中I區(qū)）在I區(qū)里VDS比較小，溝通電阻隨柵壓VGS而改變，故稱為可變電阻區(qū)。當(dāng)柵壓一定時，溝通電阻為定值，ID隨VDS近似線性增大，當(dāng)VGS＜VP時，漏源極間電阻很大（關(guān)斷）。IP=0；當(dāng)VGS=0時，漏源極間電阻很?。▽?dǎo)通），ID=IDSS。這一特性使場效應(yīng)管具有開關(guān)作用。

　?、诤懔鲄^(qū)（區(qū)中II區(qū)）當(dāng)漏極電壓VDS繼續(xù)增大到VDS＞|VP|時，漏極電流，IP達(dá)到了飽和值后基本保持不變，這一區(qū)稱為恒流區(qū)或飽和區(qū)，在這里，對于不同的VGS漏極特性曲線近似平行線，即ID與VGS成線性關(guān)系，故又稱線性放大區(qū)。

　?、蹞舸﹨^(qū)（圖中Ⅲ區(qū)）如果VDS繼續(xù)增加，以至超過了PN結(jié)所能承受的電壓而被擊穿，漏極電流ID突然增大，若不加限制措施，管子就會燒壞。

　　2、絕緣柵場效應(yīng)管

　　它是由金屬、氧化物和半導(dǎo)體所組成，所以又稱為金屬---氧化物---半導(dǎo)體場效應(yīng)管，簡稱MOS場效應(yīng)管。

　?。?）結(jié)構(gòu)原理

　　它的結(jié)構(gòu)、電極及符號見圖3所示，以一塊P型薄硅片作為襯底，在它上面擴散兩個高雜質(zhì)的N型區(qū)，作為源極S和漏極D。在硅片表覆蓋一層絕緣物，然后再用金屬鋁引出一個電極G（柵極）由于柵極與其它電極絕緣，所以稱為絕緣柵場面效應(yīng)管。

　　圖3、N溝道（耗盡型）絕緣柵場效應(yīng)管結(jié)構(gòu)及符號

　　在制造管子時，通過工藝使絕緣層中出現(xiàn)大量正離子，故在交界面的另一側(cè)能感應(yīng)出較多的負(fù)電荷，這些負(fù)電荷把高滲雜質(zhì)的N區(qū)接通，形成了導(dǎo)電溝道，即使在VGS=0時也有較大的漏極電流ID。當(dāng)柵極電壓改變時，溝道內(nèi)被感應(yīng)的電荷量也改變，導(dǎo)電溝道的寬窄也隨之而變，因而漏極電流ID隨著柵極電壓的變化而變化。

　　場效應(yīng)管的式作方式有兩種：當(dāng)柵壓為零時有較大漏極電流的稱為耗散型，當(dāng)柵壓為零，漏極電流也為零，必須再加一定的柵壓之后才有漏極電流的稱為增強型。

　?。?）特性曲線

　　1）轉(zhuǎn)移特性（柵壓----漏流特性）

　　圖4（a）給出了N溝道耗盡型絕緣柵場效應(yīng)管的轉(zhuǎn)移行性曲線，圖中Vp為夾斷電壓（柵源截止電壓）；IDSS為飽和漏電流。

　　圖4（b）給出了N溝道增強型絕緣柵場效管的轉(zhuǎn)移特性曲線，圖中Vr為開啟電壓，當(dāng)柵極電壓超過VT時，漏極電流才開始顯著增加。

　　2）漏極特性（輸出特性）

　　圖5（a）給出了N溝道耗盡型絕緣柵場效應(yīng)管的輸出特性曲線。

　　圖5(b)為N溝道增強型絕緣柵場效應(yīng)管的輸出特性曲線 。 

　　圖4、N溝道MOS場效管的轉(zhuǎn)移特性曲線

　　圖5、N溝道MOS場效應(yīng)管的輸出特性曲線

　　此外還有N襯底P溝道（見圖1）的場效應(yīng)管，亦分為耗盡型號增強型兩種，

　　各種場效應(yīng)器件的分類，電壓符號和主要伏安特性（轉(zhuǎn)移特性、輸出特性） 二、場效應(yīng)管的主要參數(shù) 

　　1、夾斷電壓VP

　　當(dāng)VDS為某一固定數(shù)值，使IDS等于某一微小電流時，柵極上所加的偏壓VGS就是夾斷電壓VP。

　　2、飽和漏電流IDSS

　　在源、柵極短路條件下，漏源間所加的電壓大于VP時的漏極電流稱為IDSS。

　　3、擊穿電壓BVDS

　　表示漏、源極間所能承受的最大電壓，即漏極飽和電流開始上升進入擊穿區(qū)時對應(yīng)的VDS。

　　4、直流輸入電阻RGS

　　在一定的柵源電壓下，柵、源之間的直流電阻，這一特性有以流過柵極的電流來表示，結(jié)型場效應(yīng)管的RGS可達(dá)1000000000歐而絕緣柵場效應(yīng)管的RGS可超過10000000000000歐。

　　5、低頻跨導(dǎo)gm

　　漏極電流的微變量與引起這個變化的柵源電壓微數(shù)變量之比，稱為跨導(dǎo)，即

　　gm= △ID/△VGS

　　它是衡量場效應(yīng)管柵源電壓對漏極電流控制能力的一個參數(shù)，也是衡量放大作用的重要參數(shù)，此參靈敏常以柵源電壓變化1伏時，漏極相應(yīng)變化多少微安（μA/V）或毫安（mA/V）來表示 

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　　金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)三極管的基本工作原理是靠半導(dǎo)體表面的電場效應(yīng)，在半導(dǎo)體中感生出導(dǎo)電溝道來進行工作的。當(dāng)柵 g 電壓vg 增大時， p 型半導(dǎo)體表面的多數(shù)載流子棗空穴減少、耗盡，而電子積累到反型。當(dāng)表面達(dá)到反型時，電子積累層將在 n+ 源區(qū) s 和 n+ 漏區(qū) d 形成導(dǎo)電溝道。當(dāng) vds ≠ 0 時，源漏電極有較大的電流ids流過。使半導(dǎo)體表面達(dá)到強反型時所需加的柵源電壓稱為閾值電壓vt。當(dāng) vgs>vt并取不同數(shù)值時，反型層的導(dǎo)電能力將改變，在的vds下也將產(chǎn)生不同的ids, 實現(xiàn)柵源電壓vgs對源漏電流ids的控制。

　　場效應(yīng)管（fet）是電場效應(yīng)控制電流大小的單極型半導(dǎo)體器件。在其輸入端基本不取電流或電流極小，具有輸入阻抗高、噪聲低、熱穩(wěn)定性好、制造工藝簡單等特點，在大規(guī)模和超大規(guī)模集成電路中被應(yīng)用。 

　　fet和雙極型三極管相類似，電極對應(yīng)關(guān)系是b®g、e®s、c®d；由fet組成的放大電路也和三極管放大電路相類似，三極管放大電路基極回路一個偏置電流(偏流)，而fet放大電路的場效應(yīng)管柵極沒有電流，fet放大電路的柵極回路一個合適的偏置電壓(偏壓)。 

　　fet組成的放大電路和三極管放大電路的主要區(qū)別：場效應(yīng)管是電壓控制型器件，靠柵源的電壓變化來控制漏極電流的變化，放大作用以跨導(dǎo)來；三極管是電流控制型器件，靠基極電流的變化來控制集電極電流的變化，放大作用由電流放大倍數(shù)來。 

　　場效應(yīng)管放大電路分為共源、共漏、共柵極三種組態(tài)。在分析三種組態(tài)時，可與雙極型三極管的共射、共集、共基對照，體會二者間的相似與區(qū)別之處。