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場效應(yīng)晶體管（Field Effect Transistor縮寫（FET））簡稱場效應(yīng)管。主要有兩種類型（juncTIon FET—JFET）和金屬 - 氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)管（metal-oxide semiconductor FET，簡稱MOS-FET）。由多數(shù)載流子參與導(dǎo)電，也稱為單極型晶體管。它屬于電壓控制型半導(dǎo)體器件。具有輸入電阻高（107～1015Ω）、噪聲小、功耗低、動態(tài)范圍大、易于集成、沒有二次擊穿現(xiàn)象、安全工作區(qū)域?qū)挼葍?yōu)點(diǎn)，現(xiàn)已成為雙極型晶體管和功率晶體管的強(qiáng)大競爭者。
場效應(yīng)管（FET）是利用控制輸入回路的電場效應(yīng)來控制輸出回路電流的一種半導(dǎo)體器件，并以此命名。
由于它僅靠半導(dǎo)體中的多數(shù)載流子導(dǎo)電，又稱單極型晶體管。
場效應(yīng)管與雙極型晶體管相比，場效應(yīng)管具有如下特點(diǎn)。
?。?）場效應(yīng)管是電壓控制器件，它通過VGS（柵源電壓）來控制ID（漏極電流）；
?。?）場效應(yīng)管的控制輸入端電流極小，因此它的輸入電阻（107～1012Ω）很大。
?。?）它是利用多數(shù)載流子導(dǎo)電，因此它的溫度穩(wěn)定性較好；
?。?）它組成的放大電路的電壓放大系數(shù)要小于三極管組成放大電路的電壓放大系數(shù)；
（5）場效應(yīng)管的抗輻射能力強(qiáng)；
?。?）由于它不存在雜亂運(yùn)動的電子擴(kuò)散引起的散粒噪聲，所以噪聲低。
三極管，全稱應(yīng)為半導(dǎo)體三極管，也稱雙極型晶體管、晶體三極管，是一種控制電流的半導(dǎo)體器件其作用是把微弱信號放大成幅度值較大的電信號， 也用作無觸點(diǎn)開關(guān)。晶體三極管，是半導(dǎo)體基本元器件之一，具有電流放大作用，是電子電路的核心元件。三極管是在一塊半導(dǎo)體基片上制作兩個相距很近的PN結(jié)，兩個PN結(jié)把整塊半導(dǎo)體分成三部分，中間部分是基區(qū)，兩側(cè)部分是發(fā)射區(qū)和集電區(qū)，排列方式有PNP和NPN兩種。
工作原理
晶體三極管（以下簡稱三極管）按材料分有兩種：鍺管和硅管。而每一種又有NPN和PNP兩種結(jié)構(gòu)形式，但使用最多的是硅NPN和鍺PNP兩種三極管，（其中，N是負(fù)極的意思（代表英文中NegaTIve），N型半導(dǎo)體在高純度硅中加入磷取代一些硅原子，在電壓刺激下產(chǎn)生自由電子導(dǎo)電，而P是正極的意思（PosiTIve）是加入硼取代硅，產(chǎn)生大量空穴利于導(dǎo)電）。兩者除了電源極性不同外，其工作原理都是相同的。
場效應(yīng)管和三極管一樣都能實(shí)現(xiàn)信號的控制和放大，但由于他們構(gòu)造和工作原理截然不同，所以二者的差異很大。在某些特殊應(yīng)用方面，場效應(yīng)管優(yōu)于三極管，是三極管無法替代的，三極管與場效應(yīng)管區(qū)別見下表。
場效應(yīng)管是電壓控制元件，而三極管是電流控制元件。在只允許從信號源取較少電流的情況下，應(yīng)選用場效應(yīng)管。而在信號源電壓較低，又允許從信號源取較多電流的條件下，應(yīng)用三極管。場效應(yīng)管靠多子導(dǎo)電，管中運(yùn)動的只是一種極性的載流子；三極管既用多子，又利用少子。由于多子濃度不易受外因的影響，因此在環(huán)境變化較強(qiáng)烈的場合，采用場效應(yīng)管比較合適。場效應(yīng)管的輸入電阻高，適用于高輸入電阻的場合。場效應(yīng)管的噪聲系數(shù)小，適用于低噪聲放大器前置級。
1、三極管是雙極型管子，即管子工作時內(nèi)部由空穴和自由電子兩種載流子參與。 場效應(yīng)管是單極型管子，即管子工作時要么只有空穴，要么只有自由電子參與導(dǎo)電，只有一種 載流子
2、三極管屬于電流控制器件，有輸入電流才會有輸出電流 場效應(yīng)管屬于電壓控制器件，沒有輸入電流也會有輸出電流
3、三極管輸入阻抗小，場效應(yīng)管輸入阻抗大
4、有些場效應(yīng)管源極和漏極可以互換，三極管集電極和發(fā)射極不可以互換
5、場效應(yīng)管的頻率特性不如三極管
6、場效應(yīng)管的噪聲系數(shù)小，適用于低噪聲放大器的前置級
7、如果希望信號源電流小應(yīng)該選用場效應(yīng)管，反之則選用三極管更為合適
