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    MOS驅動電路設計四種方案 電源IC直接驅動\推挽驅動\隔離驅動\加速關斷驅動
  • MOS驅動電路設計四種方案 電源IC直接驅動\推挽驅動\隔離驅動\加速關斷驅動
  •   發(fā)布日期: 2024-01-07  瀏覽次數: 1,517

    MOS管因為其導通內阻低,開關速度快,因此被廣泛應用在開關電源上。而用好一個MOS管,其驅動電路的設計就很關鍵。下面分享幾種常用的驅動電路。

    一、電源IC直接驅動

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    電源IC直接驅動是最簡單的驅動方式,應該注意幾個參數以及這些參數的影響。 ? ①查看電源IC手冊的最大驅動峰值電流,因為不同芯片,驅動能力很多時候是不一樣的。 ②了解MOS管的寄生電容,如圖C1、C2的值,這個寄生電容越小越好。如果C1、C2的值比較大,MOS管導通的需要的能量就比較大,如果電源IC沒有比較大的驅動峰值電流,那么管子導通的速度就比較慢,就達不到想要的效果。 ?

    二、推挽驅動

    這種驅動方式使用兩個互補的MOSFET,一個用于拉高柵極電壓(開啟MOSFET),另一個用于拉低柵極電壓(關閉MOSFET)。這種方式可以實現非??斓拈_關速度,但需要更復雜的驅動電路。

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    當電源IC驅動能力不足時,可用推挽驅動。 ? 這種驅動電路好處是提升電流提供能力,迅速完成對于柵極輸入電容電荷的充電過程。這種拓撲增加了導通所需要的時間,但是減少了關斷時間,開關管能快速開通且避免上升沿的高頻振蕩。

    ? 三、加速關斷驅動

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    MOS管一般都是慢開快關。在關斷瞬間驅動電路能提供一個盡可能低阻抗的通路供MOSFET柵源極間電容電壓快速泄放,保證開關管能快速關斷。 為使柵源極間電容電壓的快速泄放,常在驅動電阻上并聯一個電阻和一個二極管,如上圖所示,其中D1常用的是快恢復二極管。這使關斷時間減小,同時減小關斷時的損耗。Rg2是防止關斷的時電流過大,把電源IC給燒掉。

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    如上圖,是我之前用的一個電路,量產至少上萬臺,推薦使用。 用三極管來泄放柵源極間電容電壓是比較常見的。如果Q1的發(fā)射極沒有電阻,當PNP三極管導通時,柵源極間電容短接,達到最短時間內把電荷放完,最大限度減小關斷時的交叉損耗。 ? 還有一個好處,就是柵源極間電容上的電荷泄放時電流不經過電源IC,提高了可靠性。 ?

    四、隔離驅動

    在需要電氣隔離的應用中,可以使用光耦來驅動MOSFET。光耦可以將輸入信號轉換為光信號,然后再轉換回電信號,從而實現電氣隔離。這種方式可以提高系統(tǒng)的安全性和穩(wěn)定性。

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    為了滿足高端MOS管的驅動,經常會采用變壓器驅動。其中R1目的是抑制PCB板上寄生的電感與C1形成LC振蕩,C1的目的是隔開直流,通過交流,同時也能防止磁芯飽和。


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