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逆變電源
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  • 選擇合適的設(shè)備實(shí)現(xiàn)ESD抗干擾
    選擇合適的設(shè)備實(shí)現(xiàn)ESD抗干擾
  • 選擇合適的設(shè)備實(shí)現(xiàn)ESD抗干擾
  •   發(fā)布日期: 2023-12-30  瀏覽次數(shù): 626

    隨著互聯(lián)網(wǎng)物聯(lián)網(wǎng)(IoT)的擴(kuò)展,預(yù)計(jì)未來將有數(shù)十億電子設(shè)備接入網(wǎng)絡(luò)。它們將在我們生活中發(fā)揮重要的作用,比如家庭自動化的消費(fèi)設(shè)備,或深藏不露如車內(nèi)和智能建筑中的設(shè)備,所有這些設(shè)備都將對靜電放電(ESD)敏感。有限主板(PCB)經(jīng)過組裝并裝置在設(shè)備后,ESD仍然是主要故障源之一。而對于設(shè)備的ESD保護(hù)設(shè)計(jì),適當(dāng)?shù)目垢蓴_設(shè)備的選擇顯得尤為重要。

    當(dāng)工程師設(shè)計(jì)環(huán)境極限例如濕度、溫度和振動時,ESD則具有較大的不可預(yù)測性。因此,最好的做法是設(shè)計(jì)適當(dāng)?shù)目垢蓴_設(shè)備來規(guī)避靜電放電對設(shè)備的影響。對于保護(hù)設(shè)備的測試,如IEC 61000-4-2等標(biāo)準(zhǔn)都根據(jù)測試中放電電壓的嚴(yán)重程度定義了保護(hù)的級別。

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    ESD對電子設(shè)備的影響

    當(dāng)供電線電壓下降(被廣泛應(yīng)用以減少主動功耗)時,設(shè)備可能存在的ESD保護(hù)可能也隨之降低。幾乎所有通用IC現(xiàn)在都基于金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管MOSFETs),許多供電電壓線甚至低于1V。這使他們對ESD的瞬態(tài)效應(yīng)更為敏感。

    ESD的暫態(tài)現(xiàn)象可以在不造成任何損害的情況下快速消散,或?qū)е禄ミB熔斷造成無法修復(fù)的損壞。因此,最實(shí)用的貼片電路保護(hù)設(shè)備將電阻電容器設(shè)計(jì)在連接到控制電路的地線路徑上,使地線可以有效地將靜電瞬態(tài)放電帶走。

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    理解ESD保護(hù)設(shè)備

    通常,ESD保護(hù)設(shè)備要么是基于半導(dǎo)體的瞬態(tài)電壓抑制器(TVS),要么是基于陶瓷的壓敏電阻。TVS和MLV是相當(dāng)成熟的技術(shù),具有類似的物理特性。在低電壓和低速信號的應(yīng)用中,可以使用TVS或MLV保護(hù)。對于透入電流來說,選擇MLV和TVS二極管并不是主要的設(shè)計(jì)考慮因素。兩種技術(shù)都表現(xiàn)出某種透入電流,并且相當(dāng)相似。

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    選擇ESD保護(hù)方案

    由于MLV和TVS針對瞬態(tài)浪涌的防護(hù)方式,工程師可以在許多應(yīng)用中交替使用TVS和MLV解決方案。他們的體積都很小,通??梢詫LVs和TVS二極管放置在可能引入外部源靜電放電,如暴露的接口或充電口的附近。

    兩者因應(yīng)用廣泛和產(chǎn)量大,都是很成熟的技術(shù),現(xiàn)在已經(jīng)有趨勢將價格的額平均銷售價格降至相當(dāng)和有競爭性的成本水平。而MLV等因更好的容差控制,其電容特性可以被用于EMI濾波,為低損耗、高頻率的信號提供更好的防護(hù)。

    需要提供電子設(shè)備對ESD瞬態(tài)的保護(hù)。隨著供電電壓的降低和數(shù)據(jù)速度的提高,工作條件又決定對產(chǎn)品采取什么樣的保護(hù)形式。插入損耗和寄生電容正在成為更為相關(guān)和備受重視的考慮因素。隨著制造方法的改進(jìn),工程師在設(shè)計(jì)ESD保護(hù)時,對電容器的公差控制尤為重視。不僅可以節(jié)省成本,還可節(jié)省電路板空間。隨著越來越多的設(shè)備連接成網(wǎng)絡(luò),延長ESD保護(hù)至更廣泛的系統(tǒng)內(nèi)的每個設(shè)備將變得越來越重要,但工程師設(shè)計(jì)時要考慮的也必須更加全面了。


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