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MOS管
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  • 意法半導(dǎo)體 600V / 3.5A 全橋系統(tǒng)級封裝—PWD5F60
    意法半導(dǎo)體 600V / 3.5A 全橋系統(tǒng)級封裝—PWD5F60
  • 意法半導(dǎo)體 600V / 3.5A 全橋系統(tǒng)級封裝—PWD5F60
  •   發(fā)布日期: 2018-11-07  瀏覽次數(shù): 1,020

    意法半導(dǎo)體的PWD5F60高功率驅(qū)動器是意法半導(dǎo)體高壓有刷直流電機和單相無刷直流電機功率驅(qū)動器系統(tǒng)封裝產(chǎn)品系列的第二款產(chǎn)品,在15mm x 7mm封裝內(nèi)集成了600V / 3.5A MOSFET單相全橋與柵極驅(qū)動器、自舉二極管、保護(hù)功能和兩個比較器。散熱效率更高的系統(tǒng)級封裝比分立器件少占用電路板空間60%,同時可提高可靠性,簡化設(shè)計和封裝。






    PWD5F60是為控制工業(yè)泵、工業(yè)風(fēng)扇、鼓風(fēng)機、家電和工廠自動化等系統(tǒng)中的有刷直流電機專門設(shè)計的單相全橋模塊,特別適用于采用單相無刷電機以保證高耐用性、高能效且成本合理的產(chǎn)品設(shè)備,良好的經(jīng)濟性和便利性使其也適用于電源。



    PWD5F60內(nèi)部集成導(dǎo)通電阻為1.38Ω的N溝道MOSFET,優(yōu)異的能效確保其能夠處理中等功率負(fù)載。優(yōu)化的柵極驅(qū)動器可提升開關(guān)可靠性,降低EMI(電磁干擾),而集成的自舉二極管可實現(xiàn)高壓啟動,高邊輸入供電無需外部二極管和無源器件。



    兩個未受限的嵌入式比較器確保模塊配置靈活多變,可以輕松實現(xiàn)峰值電流控制或過流和過熱保護(hù)功能。峰值電流控制配合霍爾效應(yīng)定位傳感器,無需專用MCU即可實現(xiàn)獨立的控制器,從而大幅降低控制電子系統(tǒng)成本。其它靈活性功能包括可調(diào)節(jié)的死區(qū)時間以及將MOSFET配置為單個全橋或兩個半橋。工作電壓范圍從10V擴至20V,輸入兼容3.3V-15V控制信號,簡化模塊與霍爾傳感器或主微控制器或DSP的連接。



    驅(qū)動器模塊已經(jīng)內(nèi)置防交叉?zhèn)鲗?dǎo)和欠壓鎖定兩項保護(hù)功能,以防止器件在低效率或危險條件下工作。



    PWD5F60現(xiàn)已量產(chǎn)并上市銷售,采用多基島VFQFPN封裝。新器件將在2018年慕尼黑電子展C3 / 101大廳意法半導(dǎo)體展臺展出(11月13日至16日)。


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