2018年10月29日，北京訊 - 德州儀器（TI）近日宣布推出支持高達 10kW 應用的新型即用型 600 V 氮化鎵（GaN），50mΩ 和70mΩ 功率級產品組合。與 AC/DC 電源、機器人、可再生能源、電網基礎設施、電信和個人電子應用中的硅場效應晶體管（FET）相比，LMG341x 系列使設計人員能夠創(chuàng)建更小、更高效和更高性能的設計。有關詳細信息，請訪問 http://www.ti.com.cn/product/LMG3410R050-pr, http://www.ti.com.cn/product/LMG3410R070-pr ?HQS=app-hvp-gan-ganfamily-pr-sa-20181030-cn ,,, 和 http://www.ti.com.cn/product/LMG3411R070-pr。 

 

德州儀器的 GaN FET 器件系列產品通過集成獨特的功能和保護特性，來實現簡化設計，達到更高的系統(tǒng)可靠性和優(yōu)化高壓電源的性能，為傳統(tǒng)級聯和獨立的 GaN FET 提供了智能替代解決方案。通過集成的<100ns 電流限制和過溫檢測，器件可防止意外的直通事件并防止熱失控，同時系統(tǒng)接口信號可實現自我監(jiān)控功能。

 

 

 

LMG3410R050、LMG3410R070 和 LMG3411R070 的主要特性和優(yōu)勢 

• 更小、更有效的解決方案：與硅金屬氧化物半導體場效應晶體管（MOSFET）相比，德州儀器的集成 GaN 功率級可將功率密度提高一倍，并將損耗降低80%。每個器件都具有快速的 1MHz 開關頻率和高達100V/ns 的壓擺率。



• 系統(tǒng)可靠性：本產品組合接受了2000萬小時的設備可靠性測試，包括加速和應用內硬開關測試。此外，每個器件均提供集成的散熱和高速、100ns 過流保護，以防止直通和短路情況。



• 每個功率級的設備：50mΩ 或 70mΩ 條件下，本產品組合中的每個器件均提供一個 GaN FET、驅動器并提供保護功能，可為低于 100W 至 10kW 的應用提供單芯片解決方案。

 

在德國慕尼黑電子展 electronica 訪問德州儀器

德州儀器（TI）將在德國慕尼黑電子展（2018年11月13日至16日）的 C4展廳-131展位展示一個10kW的云網格鏈接演示。由德州儀器和西門子聯合開發(fā)的有源演示采用德州儀器的 LMG3410R050 600V GaN FET，具有集成驅動器和保護功能，與傳統(tǒng)的硅設計相比，幫助工程師實現99%的效率，功率元件尺寸可減少30%。

 

封裝和供貨

這些器件均采用 8mm×8mm 分割墊、方形扁平無引腳（QFN）封裝,現可從 TI 商店處購買。LMG3410R050, LMG3410R070 和 LMG3411R070 的訂購單位為1000件。



了解有關 TI LMG3410R050、LMG3410R070 和 LMG3411R070 產品的更多信息

• 閱讀博文，“空間減半，功率加倍：氮化鎵如何徹底改變機器人，可再生能源，電信等技術”，并可在 E2EChina 上探索更多的GaN帖子

• 使用 LMG3410EVM-018、LMG3410-HB-EVM 和 LMG3411EVM-029評估模塊快速開始設計。

• 下載這些應用注釋： 

o “高密度電源設計中的過流保護”

o “設計 GaN 功率級的熱考慮因素”

• 查看德州儀器完整的 GaN 產品組合解決方案。