RY4927 雙P管，低內(nèi)阻，SOP封裝MOS管，參數(shù)：-30V/-30V, 15MR內(nèi)阻， SOP-8封裝

RY4927結(jié)合了先進(jìn)的溝道MOSFET技術(shù)和低電阻封裝，以提供極低的Rds(on)。這種裝置是負(fù)載開關(guān)和電池保護(hù)應(yīng)用的理想選擇。

RY4927核心參數(shù)：

漏源電壓（Vdss）：-30V 雙P管

25°C 時電流-連續(xù)漏極：(Id)9A

不同 Id、Vgs 時導(dǎo)通電阻（最大值）：15mΩ@8A，10V

不同 Id 時 Vgs(th)（最大值）：2.8V @ 250μA

不同 Vgs 時柵極電荷 (Qg)（最大值）：20nC @ 10V

不同 Vds 時輸入電容 (Ciss)（最大值）：1000pF @ 15V

工作溫度：-55°C ~ +150°C（TJ）

功率-最大值：2W

封裝：8-SOIC

FET 類型：P-Channel

安裝類型：表面貼裝型

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